物料型号:CMOSH2-4L
器件简介:
- 该器件是一款高电流、低正向电压(VF)的硅肖特基二极管。
- 采用SOD-523表面安装封装。
- 设计用于小信号通用应用,要求尺寸小且损耗低。
引脚分配:
- 引脚1:阴极(Cathode)
- 引脚2:阳极(Anode)
参数特性:
- 最大重复反向电压(VRRM):40V
- 连续正向电流(IF):200mA
- 最大重复正向电流(IFRM):350mA
- 峰值正向浪涌电流(IFSM,tp=10ms):1.0A
- 功率耗散(PD):250mW
- 工作和存储结温(TJTstg):-65至+150°C
- 热阻(θJA):500°C/W
电气特性(TA=25°C,除非另有说明):
- 反向电流(IR):在20V反向电压下,最小值为11mA,典型值为50mA
- 反向击穿电压(BVR):在100mA反向电流下,最小值为40V,典型值为53V
- 正向电压(VF):在不同正向电流下的典型值分别为:
- 10mA时:0.24V至0.325V
- 100mA时:0.35V至0.4V
- 200mA时:0.42V至0.5V
- 电容(CJ):在4.0V反向电压和1.0MHz频率下,典型值为8.5至10pF
- 反向恢复时间(trr):在10mA正向电流和1.0mA反向电流下,最小值为4.0ns,典型值为5.0ns
功能详解:
- 提供了正向电压、泄漏电流、电容、瞬态峰值功率和峰值电流容量的典型电气特性图。
- 提供了电流降额和功率降额的图表,显示了在不同环境温度下的最大工作电流和功率。
应用信息:
- 适用于需要高电流和低正向电压的应用。
- 适用于小信号通用应用。
封装信息:
- 采用SOD-523封装,具有特定的机械轮廓尺寸。