物料型号:CMPDM202PH
器件简介:
- 这是一个高电流P沟道增强型硅MOSFET,采用P沟道DMOS工艺制造,设计用于高速脉冲放大器和驱动应用。
- 该MOSFET提供高电流、低导通电阻(rDS(ON))、低阈值电压和低漏电流。
引脚分配:
- SOT-23F封装,引脚编号为1(栅极Gate)、2(源极Source)、3(漏极Drain)。
参数特性:
- 最大额定值(TA=25°C):
- 漏极-源极电压(VDs):20V
- 栅极-源极电压(VGS):12V
- 连续漏极电流(稳态):2.3A
- 最大脉冲漏极电流,tp=10s:9.2A
- 功率耗散:350mW
- 工作和存储结温:-55至+150°C
- 热阻:357°C/W
功能详解:
- 电气特性(TA=25°C,除非另有说明):
- 栅极-源极漏电流(IGSSF,IGSSR):在VGs=12V,VDs=0条件下,最小值为100nA。
- 漏极-源极漏电流(lpss):在VDs=20V,VGs=0条件下,最大值为1.0uA。
- 漏极-源极击穿电压(BVDSS):在VGs=0,lp=250 A条件下,最小值为20V。
- 栅极-源极阈值电压(VGS(th)):在VGs=Vps.lD=250 A条件下,最小值为0.6V,最大值为1.4V。
- 导通电阻(DS(ON)):在VGs=5.0V.lp=1.2A条件下,最小值为0.042p,最大值为0.088p;在VGs=2.5V,ID=1.2A条件下,最小值为0.058p,最大值为0.093p。
- 存储时间(9FS):在Vps=5.0V,Ip=2.3A条件下,最小值为15s。
- 反向传输电容(Crss):在VDD=10V,VGs=0,f=1.0MHz条件下,最小值为85pF。
- 输入电容(Ciss):在VDD=10V,VGs=0,f=1.0MHz条件下,最小值为800pF。
- 输出电容(Coss):在VDD=10V,VGs=0,f=1.0MHz条件下,最小值为75pF。
- 总栅极电荷(ag(tot)):在VDD=10V,VGs=5.0V,ID=2.3A条件下,最小值为8.0nC,最大值为12nC。
- 栅极-源极电荷(Qgs):在VDD=10V,VGs=5.0V,ID=2.3A条件下,最小值为1.3nC,最大值为2.0nC。
- 栅极-漏极电荷(Qgd):在VDD=10V,VGS=5.0V,ID=2.3A条件下,最小值为2.3nC,最大值为3.5nC。
- 导通时间(ton):在VDD=10V,ID=2.3A,RG=100条件下,最小值为25ns。
- 关断时间(toff):在VDD=10V,lp=2.3A, RG=100条件下,最小值为48ns。
应用信息:
- 适用于负载/电源开关、电源供应转换电路、电池供电便携设备等。
封装信息:
- SOT-23F封装,机械外形图和尺寸信息提供在文档中。