1. 物料型号：
- CMPF5460
- CMPF5461
- CMPF5462
2. 器件简介：
- 这些型号属于Central Semiconductor公司生产的P沟道硅JFET（结型场效应晶体管），采用SOT-23封装，适用于低电平应用场合。型号的标记代码分别为6E、6E1和6E2。
3. 引脚分配：
- 1) DRAIN（漏极）
- 2) SOURCE/GATE（源极/栅极）
4. 参数特性：
- 最大额定值：
- 栅-漏极电压（VGD）：40V
- 栅-源极电压（VGS）：40V
- 栅极电流（IG）：10mA
- 功率耗散（PD）：350mW
- 结温（TJTstg）：-65至+150°C
- 热阻（OJA）：357°C/W
- 电气特性（在25°C下，除非另有说明）：
- 漏-源极电流（IGsS）：5.0nA
- 静态导通电阻（pss）：1.0至16mA
- 漏极-源极击穿电压（BVGSS）：40V
- 栅极关闭电压（VGs(off)）：0.75至9.0V
- 导通电阻（9fs）：1.0至6.0μmhos
- 输入电容（Ciss）：7.0pF
- 反向传输电容（Crss）：3.0pF
- 噪声系数（eN）：60nV/Hz（典型值）
5. 功能详解：
- 这些P沟道JFET具有低噪声和高输入阻抗的特性，适用于音频频率放大和开关应用。
6. 应用信息：
- 适用于低电平音频放大和开关应用。
7. 封装信息：
- SOT-23封装，具体尺寸和引脚排列见文档中的机械轮廓图。
