1. 物料型号：
- 型号为CMPT5087E（PNP型）和CMPT5088E（NPN型），是中央半导体公司生产的增强规格的表面贴装互补硅晶体管。
2. 器件简介：
- CMPT5087E和CMPT5088E是环氧模塑表面贴装封装的硅晶体管，具有增强规格，适用于需要高增益和低噪声的应用。
3. 引脚分配：
- 引脚代码：1）基极 2）发射极 3）集电极。
4. 参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：50V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：50V
- 发射极-基极电压（VEBO）：5.0V
- 连续集电极电流（Ic）：100mA
- 功率耗散（PD）：350mW
- 工作和存储结温（Tstg）：-65至+150°C
- 热阻（eJA）：357°C/W
- 电气特性（TA=25°C，除非另有说明）：
- CBO（VCB=20V）：50nA
- EBO（VEB=3.0V）：50nA
- BVCBO（Ic=100μA）：50至150V（PNP型），135至150V（NPN型）
- BVCEO（Ic=1.0mA）：50至105V（PNP型），65至105V（NPN型）
- BVEBO（Ie=100pA）：5.0至7.5V（PNP型），8.7V（NPN型）
- VCE(SAT)（Ic=10mA, Ig=1.0mA）：45至100mV（PNP型），50至100mV（NPN型）
- VCE(SAT)（Ic=100mA, Ig=10mA）：110至400mV（PNP型），225至400mV（NPN型）
- VBE(SAT)（Ic=10mA, Ib=1.0mA）：700至800mV
- hFE（VCE=5.0V, Ic=0.1mA）：300至900（PNP型），430至390（NPN型）
- hFE（VCE=5.0V, Ic=1.0mA）：300至435（PNP型），380（NPN型）
- hFE（VCE=5.0V, Ic=10mA）：300至350（PNP型）
- hFE（VCE=5.0V, Ic=100mA）：50至125（PNP型），75（NPN型）
5. 功能详解：
- 这些晶体管设计用于需要高增益和低噪声的应用，具有增强的规格，能够在各种条件下提供稳定的性能。
6. 应用信息：
- 适用于需要高增益和低噪声的应用，如音频放大器、射频放大器等。
7. 封装信息：
- 封装类型为SOT-23，具体尺寸和机械轮廓图已在文档中提供。
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