1. 物料型号:
- CMPT5088和CMPT5089是由Central Semiconductor生产的NPN硅晶体管。
2. 器件简介:
- CMPT5088和CMPT5089是采用外延平面工艺制造的NPN硅晶体管,以环氧树脂封装在表面贴装包中,适用于小信号通用和开关应用。
3. 引脚分配:
- 引脚1:基极(Base)
- 引脚2:发射极(Emitter)
- 引脚3:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 最大额定值:
- 集电极-基极电压(VCBO):CMPT5088为35V,CMPT5089为30V
- 集电极-发射极电压(VCEO):CMPT5088为30V,CMPT5089为25V
- 发射极-基极电压(VEBO):CMPT5088为4.5V,CMPT5089为50mA
- 集电极电流(IC):两者均为350mW
- 工作和存储结温(TJ, Tstg):-65至+150°C
- 热阻(ΘJA):357°C/W
5. 功能详解:
- 电气特性(TA=25°C,除非另有说明):
- 集电极饱和电压(VCE(SAT)):IC=10mA, IB=1.0mA时,两者均为0.5V
- 基极-发射极饱和电压(VBE(SAT)):IC=10mA, IB=1.0mA时,两者均为0.8V
- 直流电流增益(hFE):VCE=5.0V, IC=0.1mA时,CMPT5088为300至900,CMPT5089为400至1200
- 截止频率(fT):VCE=5.0V, IC=10mA时,CMPT5088为300MHz,CMPT5089为400MHz
6. 应用信息:
- 适用于小信号通用和开关应用。
7. 封装信息:
- SOT-23表面贴装封装。