CMPT5551HC_10

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CENTRAL(中环)
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描述：
CMPT5551HC_10 - SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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CMPT5551HC SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551HC type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING CODE: 1FHC SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD TJ, Tstg ΘJA UNITS V V V A mW °C °C/W 180 160 6.0 1.0 350 -65 to +150 357 ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP ICBO VCB=120V ICBO VCB=120V, TA=100°C IEBO VEB=4.0V BVCBO IC=100µA 180 BVCEO IC=1.0mA 160 BVEBO IE=10µA 6.0 VCE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA VCE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA VBE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA VBE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA hFE VCE=5.0V, IC=1.0mA 80 hFE VCE=5.0V, IC=10mA 80 hFE VCE=5.0V, IC=50mA 30 hFE VCE=10V, IC=1.0A 10 fT VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz 100 Cob VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz MAX 50 50 50 0.15 0.20 1.00 1.00 250 UNITS nA µA nA V V V V V V V 15 MHz pF R1 (1-February 2010) CMPT5551HC SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SOT-23 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Base 2) Emitter 3) Collector MARKING CODE: 1FHC R1 (1-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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CMPT5551HC_10

### 物料型号 - 型号：CMPT5551HC

### 器件简介 - 描述：CMPT5551HC是由Central Semiconductor生产的高电流NPN硅晶体管，采用外延平面工艺制造，环氧树脂封装在表面贴装包中，设计用于高电压和高电流放大应用。

### 引脚分配 - 引脚：1) Base（基极） 2) Emitter（发射极） 3) Collector（集电极）

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：180V - 集电极-发射极电压（VCEO）：160V - 发射极-基极电压（VEBO）：6.0V - 连续集电极电流（Ic）：1.0A - 功率耗散（PD）：350mW - 工作和存储结温（TJ.Tstg）：-65至+150°C - 热阻（eJA）：357°C/W

- 电气特性： - 集电极-基极反向电流（ICBO）：在VCB=120V时，范围为0至50nA - 发射极-基极电压（EBO）：在VEB=4.0V时，范围为0至50nA - 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：在Ic=100μA时，最小值为180V - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：在Ic=1.0mA时，最小值为160V - 饱和压降（VCE(SAT)）：在Ic=10mA, Ig=1.0mA时，最小值为0.15V；在Ic=50mA, Ig=5.0mA时，最小值为0.20V - 基极-发射极饱和压降（VBE(SAT)）：在Ic=10mA, Ig=1.0mA时，最小值为1.00V；在Ic=50mA, Ig=5.0mA时，最小值为1.00V - 电流增益（hFE）：在VCE=5.0V, Ic=1.0mA时，范围为80至250；在VCE=5.0V, Ic=10mA时，范围为30至250；在VCE=10V, Ic=1.0A时，最小值为10 - 截止频率（fT）：在VCE=10V, Ic=10mA, f=100MHz时，最小值为100MHz - 电容（Cob）：在VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz时，范围为0至15pF

### 功能详解 - 功能：CMPT5551HC适用于需要高电压和高电流放大的应用场合，如电源管理、电机控制和音频放大器。

### 应用信息 - 应用：适用于高电压和高电流放大应用，具体包括电源管理、电机控制和音频放大器等。

### 封装信息 - 封装：SOT-23表面贴装封装。

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