1. 物料型号:
- CMPTA42E:NPN型增强规格的表面贴装高压硅晶体管。
- CMPTA92E:PNP型增强规格的表面贴装高压硅晶体管。
2. 器件简介:
- 这两种型号是Central Semiconductor公司生产的互补高压硅晶体管的增强版本,具有更高的电压和电流增益。
3. 引脚分配:
- 1) BASE(基极)
- 2) EMITTER(发射极)
- 3) COLLECTOR(集电极)
4. 参数特性:
- 最大额定值:
- 集电极-基极电压(VCBO):350V
- 集电极-发射极电压(VCEO):350V
- 发射极-基极电压(VEBO):6.0V
- 集电极电流(Ic):500mA
- 功率耗散(PD):350mW
- 电气特性(TA=25°C):
- 集电极-基极反向饱和电流(ICBO):250nA
- 发射极-基极正向电压(VBE):0.9V
- 集电极-基极击穿电压(BVCBO):350V至500V
- 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):350V至450V
- 饱和压降(VCE(SAT)):125mV至350mV
- 电流增益(hFE):50至105
5. 功能详解:
- 这些晶体管设计用于在高电压下工作,具有增强的电流增益和击穿电压,适用于需要高电压和高增益的应用。
6. 应用信息:
- 适用于需要高电压和高电流增益的表面贴装应用,如电源管理、驱动电路等。
7. 封装信息:
- 使用SOT-23封装,具有小尺寸和低功耗的特点,适合表面贴装技术。