CMPTA92E

CMPTA92E

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    CMPTA92E - ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS - Cen...

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CMPTA92E 数据手册
CMPTA42E NPN CMPTA92E PNP ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The Central Semiconductor CMPTA42E & CMPTA92E types are Enhanced versions of the CMPTA42 & CMPTA92 complementary surface mount high voltage transistors. MARKING CODES: CMPTA42E: C1DE CMPTA92E: C2DE FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS: ♦ BVCBO from 300V min to 350V min. ♦ BVCEO from 300V min to 350V min. ♦ hFE from 25 min to 50 min. SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) ♦ Collector-Base Voltage ♦ Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD TJ, Tstg ΘJA 350 350 6.0 500 350 -65 to +150 357 UNITS V V V mA mW °C °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL ICBO IEBO TEST CONDITIONS VCB=200V VBE=3.0V IC=100µA IC=1.0mA IE=100µA IC=50mA, IB=5.0mA IC=20mA, IB=2.0mA VCE=10V, IC=1.0mA VCE=10V, IC=10mA VCE=10V, IC=30mA VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz 350 350 6.0 590 475 8.7 125 50 50 50 50 110 110 110 75 500 450 9.6 150 105 105 105 75 6.0 MHz pF 350 0.9 MIN TYP CMPTA42E CMPTA92E MAX 250 100 UNITS nA nA V V V mV V ♦ BVCBO ♦ BVCEO ♦ VCE(SAT) ♦ hFE ♦ hFE ♦ hFE fT Cob VBE(SAT) BVEBO ♦ Enhanced specification. R2 (10-October 2003) Central TM Semiconductor Corp. CMPTA42E NPN CMPTA92E PNP ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS SOT-23 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) BASE 2) EMITTER 3) COLLECTOR MARKING CODE: CMPTA42E: C1DE CMPTA92E: C2DE R2 (10-October 2003)
CMPTA92E
1. 物料型号: - CMPTA42E:NPN型增强规格的表面贴装高压硅晶体管。 - CMPTA92E:PNP型增强规格的表面贴装高压硅晶体管。

2. 器件简介: - 这两种型号是Central Semiconductor公司生产的互补高压硅晶体管的增强版本,具有更高的电压和电流增益。

3. 引脚分配: - 1) BASE(基极) - 2) EMITTER(发射极) - 3) COLLECTOR(集电极)

4. 参数特性: - 最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO):350V - 集电极-发射极电压(VCEO):350V - 发射极-基极电压(VEBO):6.0V - 集电极电流(Ic):500mA - 功率耗散(PD):350mW - 电气特性(TA=25°C): - 集电极-基极反向饱和电流(ICBO):250nA - 发射极-基极正向电压(VBE):0.9V - 集电极-基极击穿电压(BVCBO):350V至500V - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):350V至450V - 饱和压降(VCE(SAT)):125mV至350mV - 电流增益(hFE):50至105

5. 功能详解: - 这些晶体管设计用于在高电压下工作,具有增强的电流增益和击穿电压,适用于需要高电压和高增益的应用。

6. 应用信息: - 适用于需要高电压和高电流增益的表面贴装应用,如电源管理、驱动电路等。

7. 封装信息: - 使用SOT-23封装,具有小尺寸和低功耗的特点,适合表面贴装技术。
CMPTA92E 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“CMPTA92E”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货