CMPZ4101

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CENTRAL(中环)
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CMPZ4101 - SURFACE MOUNT LOW NOISE SILICON ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 43 VOLTS 350mW - Central Semic...

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CMPZ4099 THRU CMPZ4124 SURFACE MOUNT LOW NOISE SILICON ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 43 VOLTS 350mW, 5% TOLERANCE w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPZ4099 Series types are high quality silicon zener diodes designed for low leakage, low current and low noise applications. NOTE: For lower voltage devices, see CMPZ4614 Series. MARKING CODE: CONSULT FACTORY SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted) Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature SYMBOL PD TJ, Tstg 350 -65 to +150 UNITS mW °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) VF=1.0V MAX @ IF=200mA (for all types) ZENER VOLTAGE TYPE MIN V 6.460 7.125 7.790 8.265 8.645 9.500 10.45 11.40 12.35 13.30 14.25 15.20 16.15 17.10 18.05 19.00 20.90 22.80 23.75 25.65 26.60 28.50 31.35 34.20 37.05 40.85 VZ @ IZT NOM V 6.8 7.5 8.2 8.7 9.1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 25 27 28 30 33 36 39 43 MAX V 7.140 7.865 8.610 9.135 9.555 10.50 11.55 12.60 13.65 14.70 15.75 16.80 17.85 18.90 19.95 21.00 23.10 25.20 26.25 28.35 29.40 31.50 34.65 37.80 40.95 45.15 TEST CURRENT IZT μA 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 MAXIMUM ZENER IMPEDANCE ZZT @ IZT Ω 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 100 100 100 100 150 150 150 150 150 150 200 200 200 200 200 250 MAXIMUM REVERSE LEAKAGE CURRENT @ VR IR μA 10 10 1.0 1.0 1.0 1.0 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 V 5.2 5.7 6.3 6.7 7.0 7.6 8.5 9.2 9.9 10.7 11.4 12.2 13.0 13.7 14.5 15.2 16.8 18.3 19.0 20.5 21.3 22.8 25.1 27.4 29.7 32.7 MAXIMUM ZENER CURRENT IZM mA 35.0 31.8 29.0 27.4 26.2 24.8 21.6 20.4 19.0 17.5 16.3 15.4 14.5 13.2 12.5 11.9 10.8 9.9 9.5 8.8 8.5 7.9 7.2 6.6 6.1 5.5 MAXIMUM NOISE DENSITY ND @ IZT μV/√Hz 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 CMPZ4099 CMPZ4100 CMPZ4101 CMPZ4102 CMPZ4103 CMPZ4104 CMPZ4105 CMPZ4106 CMPZ4107 CMPZ4108 CMPZ4109 CMPZ4110 CMPZ4111 CMPZ4112 CMPZ4113 CMPZ4114 CMPZ4115 CMPZ4116 CMPZ4117 CMPZ4118 CMPZ4119 CMPZ4120 CMPZ4121 CMPZ4122 CMPZ4123 CMPZ4124 R6 (3-February 2010) CMPZ4099 THRU CMPZ4124 SURFACE MOUNT LOW NOISE SILICON ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 43 VOLTS 350mW, 5% TOLERANCE SOT-23 CASE - MECHANICAL OUTLINE PIN CONFIGURATION LEAD CODE: 1) Anode 2) No Connection 3) Cathode MARKING CODE: CONSULT FACTORY R6 (3-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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CMPZ4101

1. 物料型号： - 型号范围为CMPZ4099至CMPZ4124，这些是表面贴装低噪声硅齐纳二极管。

2. 器件简介： - CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的CMPZ4099系列是高质量硅齐纳二极管，设计用于低漏电、低电流和低噪声应用。对于更低电压的设备，可以参考CMPZ4614系列。

3. 引脚分配： - 引脚配置为：1）阳极，2）无连接，3）阴极。具体引脚的标记代码需要咨询工厂。

4. 参数特性： - 工作和存储结温范围为-65至+150°C。 - 最大功耗为350mW。 - 在25°C下，所有类型的测试电流最大为200mA。 - 提供了不同型号的齐纳电压（VZ @ IZT）、齐纳测试电流（IZT）、最大齐纳阻抗（R @ VR）、最大反向漏电流、最大齐纳电流（IZM）和最大噪声密度（ND @ IZT）等参数。

5. 功能详解： - 这些齐纳二极管主要用于保护电路免受电压浪涌的影响，通过维持一个稳定的电压水平。

6. 应用信息： - 适用于需要低漏电、低电流和低噪声的电路保护应用。

7. 封装信息： - 使用SOT-23封装，具体尺寸和机械轮廓在文档中有详细描述。

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