物料型号:
- CMST5086 和 CMST5087
器件简介:
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST5086、CMST5087 是由外延平面工艺制造的PNP硅晶体管,采用SUPERmini™表面贴装封装,设计用于需要高增益和低噪声的应用。
引脚分配:
- 引脚代码:1) 基极 2) 发射极 3) 集电极
参数特性:
- 最大额定值(TA=25°C):
- 集电极-基极电压(VCBO):50V
- 集电极-发射极电压(VCEO):50V
- 发射极-基极电压(VEBO):3.0V
- 连续集电极电流(Ic):50mA
- 功率耗散(PD):275mW
- 工作和存储结温(TJTstg):-65至+150°C
- 热阻(OJA):455°C/W
- 电气特性(TA=25°C,除非另有说明):
- 集电极漏电流(ICBO):10nA至50nA
- 击穿电压(BVCBO、BVCEO、BVEBO):50V
- 饱和压降(VCE(SAT)):0.30V
- 饱和压降(VBE(SAT)):0.85V
- 电流增益(hFE):150至800
- 截止频率(fT):40MHz
- 电容(Cob):4.0pF
- 噪声系数(NF):2.0至3.0dB
功能详解:
- 这些PNP硅晶体管适用于需要高增益和低噪声的应用。
应用信息:
- 适用于需要高增益和低噪声的应用。
封装信息:
- SOT-323封装,具体尺寸和机械轮廓在文档中有详细描述。