CMST5088

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
CMST5088 - SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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CMST5088 CMST5089 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST5088, CMST5089 types are NPN silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERmini™ surface mount package, designed for applications requiring high gain and low noise. MARKING CODES: CMST5088: 1QC CMST5089: 1RC SOT-323 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD TJ, Tstg ΘJA CMST5088 35 30 CMST5089 30 25 UNITS V V V mA mW °C °C/W 4.5 50 275 -65 to +150 455 ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) CMST5088 SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX ICBO VCB=20V 50 ICBO VCB=15V IEBO VEB=3.0V 50 IEBO VEB=4.5V BVCBO IC=100μA 35 BVCEO IC=1.0mA 30 BVEBO IE=100μA 4.5 VCE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA 0.5 VBE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA 0.8 hFE VCE=5.0V, IC=0.1mA 300 900 hFE VCE=5.0V, IC=1.0mA 350 hFE VCE=5.0V, IC=10mA 300 fT VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz 50 Cob VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz 4.0 Cib VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz 15 hfe VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz 350 1400 NF VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ f=10Hz to 15.7kHz 3.0 CMST5089 MIN MAX 50 100 30 25 4.5 0.5 0.8 400 1200 450 400 50 4.0 15 450 1800 2.0 UNITS nA nA nA nA V V V V V MHz pF pF dB R4 (9-February 2010) CMST5088 CMST5089 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR SOT-323 CASE - MECHANICAL OUTLINE PIN CONFIGURATION LEAD CODE: 1) Base 2) Emitter 3) Collector MARKING CODES: CMST5088: 1QC CMST5089: 1RC R4 (9-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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CMST5088

### 物料型号 - CMST5088 - CMST5089

### 器件简介 CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST5088和CMST5089是采用外延平面工艺制造的NPN硅晶体管，采用SUPERmini™表面贴装封装，设计用于需要高增益和低噪声的应用。

### 引脚分配 - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

### 参数特性 #### 最大额定值 - 集-基电压（VCBO）：CMST5088为35V，CMST5089为30V - 集-射电压（VCEO）：CMST5088为30V，CMST5089为25V - 发-基电压（VEBO）：CMST5089为4.5V - 集电极连续电流（IC）：CMST5088为50mA - 功率耗散（PD）：CMST5088为275mW - 工作和存储结温（TJTsg）：-65到+150°C - 热阻（θJA）：CMST5088为455°C/W

#### 电气特性 - 集基漏电流（ICBO）：CMST5088在VCB=15V时小于50nA，CMST5089在VCB=15V时小于50nA - 发基漏电流（IEBO）：CMST5088在VEB=3.0V时小于50nA，在VEB=4.5V时小于100nA - 集电极截止电压（BVCBO）：CMST5088为35V，CMST5089为30V - 集电极发射极截止电压（BVCEO）：CMST5088为30V，CMST5089为25V - 发射极截止电压（BVEBO）：CMST5089为4.5V - 饱和压降（VCE(SAT)）：CMST5088在Ic=10mA, Ib=1.0mA时为0.5V，CMST5089同上 - 饱和压降（VBE(SAT)）：CMST5088在Ic=10mA, Ib=1.0mA时为0.8V，CMST5089同上 - 直流电流增益（hFE）：CMST5088在VCE=5.0V, Ic=0.1mA时为300至900，CMST5089为400至1200 - 截止频率（fT）：CMST5088和CMST5089在VCE=5.0V, Ic=500μA, f=20MHz时均为50MHz - 集电极-基极电容（Cob）：CMST5088和CMST5089在VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz时均为4.0pF - 基极-发射极电容（Cib）：CMST5088和CMST5089在VBE=0.5V, Ic=0, f=1.0MHz时均为15pF

### 功能详解 CMST5088和CMST5089是NPN硅晶体管，适用于需要高增益和低噪声的表面贴装应用。

### 应用信息 这些晶体管适用于需要高增益和低噪声的应用场景。

### 封装信息 CMST5088和CMST5089采用SOT-323封装。

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