物料型号：
- CMUDM8004
器件简介：
- CMUDM8004是一款由CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的增强型P沟道MOSFET，采用P沟道DMOS工艺制造，适用于高速脉冲放大器和驱动应用。该MOSFET具有低漏源电阻（rDS(on)）和低阈值电压。
引脚分配：
- SOT-523封装的引脚配置如下：
- 1）栅极（Gate）
- 2）源极（Source）
- 3）漏极（Drain）
- 3）漏极（Drain）
参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 漏源电压（VDs）：30V
- 栅源电压（VGS）：8.0V
- 连续漏极电流（ID）：450mA
- 功率耗散（PD）：250mW
- 工作和存储结温（TJ,Tstg）：-65至+150°C
- 电气特性（TA=25°C，除非另有说明）：
- 漏极-源极关断电压（BVDSS）：30V
- 阈值电压（VGS(th)）：0.5至1.0V
- 源漏电压（VSD）：1.1V
- 导通电阻（DS(ON)）：1.1至3.3欧姆
- 漏源电阻（rDS(ON)）：2.0欧姆
功能详解：
- CMUDM8004具有ESD保护高达2kV、低漏源电阻、低阈值电压、逻辑电平兼容等特点，并提供小尺寸SOT-523表面贴装封装。
应用信息：
- 适用于负载/电源开关、电源供应转换电路、电池供电的便携式设备等应用。
封装信息：
- SOT-523封装，标记代码为84C。
