1. 物料型号:
- CMUT5087E:PNP型硅晶体管
- CMUT5088E:NPN型硅晶体管
- 两者均属于CentralSemiconductor Corp.生产的ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini™ COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS系列。
2. 器件简介:
- CMUT5087E和CMUT5088E是硅晶体管,采用ULTRAmini™表面贴装封装,具有增强规格,专为需要高增益和低噪声的应用而设计。
3. 引脚分配:
- 引脚1:基极(BASE)
- 引脚2:发射极(EMITTER)
- 引脚3:集电极(COLLECTOR)
4. 参数特性:
- 最大额定值:
- 集电极-基极电压(VCBO):50V
- 集电极-发射极电压(VCEO):50V
- 发射极-基极电压(VEBO):5.0V
- 集电极电流(IC):100mA
- 功率耗散:350mW
- 工作和存储结温:-65至+150°C
- 热阻(TJ,Tstg):357°C/W
5. 功能详解:
- 电气特性(TA=25°C):
- 集电极电流(ICBO)在VCB=20V时,最小值为50nA。
- 发射极电流(IEBO)在VEB=3.0V时,最小值为50nA。
- 击穿电压(BVCBO、BVCEO、BVEBO)未提供具体数值。
- 饱和压降(VCE(SAT))在IC=10mA, IB=1.0mA时,最小值为45mV,最大值为100mV。
- 截止频率(fT)和最大频率(hFE)在不同条件下有具体数值。
6. 应用信息:
- 这些晶体管适用于需要高增益和低噪声的应用,例如音频放大器、无线通信设备等。
7. 封装信息:
- 封装类型为SOT-523,提供了详细的机械尺寸图和尺寸参数,包括英寸和毫米单位。