CMXT3090L

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
CMXT3090L - SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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CMXT3090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXT3090L is a Low VCE(SAT) NPN Transistor in a six lead Power SOT-26 surface mount package designed for LAN cards, motor control, power management, strobe flash units and DC-DC converters for mobile systems. MARKING CODE: X309L SOT-26 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) SYMBOL ICBO IEBO BVCBO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VCE(SAT) VCE(SAT) hFE hFE hFE Cob fT TEST CONDITIONS VCB=20V VEB=5.0V IC=10µA IC=10mA IE=10µA IC=100mA, IB=1.0mA IC=1.0A, IB=20mA IC=2.0A, IB=200mA IC=3.0A, IB=60mA VCE=2.0V, IC=500mA VCE=2.0V, IC=1.0A VCE=2.0V, IC=3.0A VCB=10V, f=1.0MHz VCE=10V, IC=500mA 200 200 175 100 100 pF MHz 45 15 6.0 30 60 85 145 50 150 200 300 MIN TYP MAX 100 100 UNITS nA nA V V V mV mV mV mV SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PD TJ, Tstg ΘJA 45 15 6.0 3.0 6.0 350 -65 to +150 357 UNITS V V V A A mW °C °C/W R2 (12-February 2010) CMXT3090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR SOT-26 CASE - MECHANICAL OUTLINE PIN CONFIGURATION LEAD CODE: 1) Collector 2) Collector 3) Base 4) Emitter 5) Collector 6) Collector (Pins 1, 2, 5 and 6 are common.) MARKING CODE: X309L R2 (12-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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CMXT3090L

### 物料型号 - 型号：CMXT3090L

### 器件简介 - 描述：CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXT3090L是一款低VCE(SAT) NPN晶体管，采用六引脚SOT-26表面贴装封装，适用于网络卡、电机控制、电源管理、频闪灯单元和移动系统的DC-DC转换器。 - 封装：SOT-26

### 引脚分配 - 引脚1：Collector - 引脚2：Collector - 引脚3：Base - 引脚4：Emitter - 引脚5：Collector - 引脚6：Collector - 标记代码：X309L

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：未提供具体数值 - 集电极-发射极电压（VCEO）：451560 COI V - 发射极-基极电压（VEBO）：未提供具体数值 - 连续集电极电流（Ic）：3.0 A - 峰值集电极电流（Ic）：6.0 A - 功率耗散（PD）：350 mW - 工作和存储结温（TJ.Tstg）：-65至+150°C - 热阻（OJA）：357°C/W

- 电气特性（TA=25°C）： - 集电极-基极反向电流（ICBO）：100 nA - 发射极-基极反向电流（EBO）：100 nA - 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：45 V - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：15 V - 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：6.0 V - 饱和压降（VCE(SAT)）：不同电流下的值分别为30 mV至300 mV - 电流增益（hFE）：在不同VCE和Ic下的值分别为200至175 - 集电极-基极电容（Cob）：100 pF - 截止频率（fT）：100 MHz

### 功能详解 - CMXT3090L晶体管设计用于需要低饱和压降的应用，如DC-DC转换器和电机控制，能够提供高效的电源管理。

### 应用信息 - 应用领域：网络卡、电机控制、电源管理、频闪灯单元和移动系统的DC-DC转换器。

### 封装信息 - 封装类型：SOT-26 - 尺寸：详细的尺寸信息以英寸和毫米为单位提供，包括A到J的不同尺寸参数。

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