CMXT3904_10

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
CMXT3904_10 - SURFACE MOUNT DUAL NPN SILICON TRANSISTORS - Central Semiconductor Corp

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CMXT3904 SURFACE MOUNT DUAL NPN SILICON TRANSISTORS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXT3904 type is a dual NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERmini™ surface mount package, and designed for small signal general purpose amplifier and switching applications. MARKING CODE: X1A SOT-26 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL SYMBOL ICEV BVCBO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(SAT) VBE(SAT) hFE hFE hFE hFE hFE fT Cob Cib hie SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD TJ, Tstg ΘJA 60 40 6.0 200 350 -65 to +150 357 UNITS V V V mA mW °C °C/W CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (TA=25°C unless otherwise noted) TEST CONDITIONS MIN MAX VCE=30V, VEB=3.0V 50 IC=10μA 60 IC=1.0mA 40 IE=10μA 6.0 IC=10mA, IB=1.0mA 0.20 IC=50mA, IB=5.0mA 0.30 IC=10mA, IB=1.0mA 0.65 0.85 IC=50mA, IB=5.0mA 0.95 VCE=1.0V, IC=0.1mA 40 VCE=1.0V, IC=1.0mA 70 VCE=1.0V, IC=10mA 100 300 VCE=1.0V, IC=50mA 60 VCE=1.0V, IC=100mA 30 VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz 300 VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz 4.0 VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz 8.0 VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz 1.0 10 UNITS nA V V V V V V V MHz pF pF kΩ R3 (12-February 2010) CMXT3904 SURFACE MOUNT DUAL NPN SILICON TRANSISTORS ELECTRICAL SYMBOL hre hfe hoe NF td tr ts tf CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR - Continued: (TA=25°C unless otherwise noted) TEST CONDITIONS MIN MAX UNITS VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz 0.5 8.0 x10-4 VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz 100 400 VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz 1.0 40 μS VCE=5.0V, IC=100μA, RS=1.0kΩ, f=10Hz to 15.7kHz 5.0 dB VCC=3.0V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1.0mA 35 ns VCC=3.0V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1.0mA 35 ns VCC=3.0V, IC=10mA, IB1=IB2=1.0mA 200 ns VCC=3.0V, IC=10mA, IB1=IB2=1.0mA 50 ns SOT-26 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Emitter Q1 2) Base Q1 3) Collector Q2 4) Emitter Q2 5) Base Q2 6) Collector Q1 MARKING CODE: X1A R3 (12-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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CMXT3904_10

1. 物料型号： - CMXT3904

2. 器件简介： - CMXT3904是由Central Semiconductor生产的双NPN硅晶体管，采用外延平面工艺制造，环氧树脂封装在SUPERmini™表面贴装包中，适用于小信号通用放大和开关应用。

3. 引脚分配： - 1) Emitter Q1 - 2) Base Q1 - 3) Collector Q2 - 4) Emitter Q2 - 5) Base Q2 - 6) Collector Q1

4. 参数特性： - 最大额定值： - 集电极-基极电压VCBO：60V - 集电极-发射极电压VCEO/VEBO：40V - 连续集电极电流IC：200mA - 功率耗散PD：350mW - 工作和存储结温TJ, Tstg：-65至+150°C - 热阻ΘJA：357°C/W - 电气特性（TA=25°C除非另有说明）： - ICEV（VCE=30V, VEB=3.0V）：50nA - BVCBO（IC=10μA）：60V - VCE(SAT)（BVECO, BVEBO）：0.30V至0.20V - hFE（VBE(SAT) VBE(SAT)）：0.65至40，0.85至0.95 - fT（VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz）：300MHz - Cob（VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz）：4.0pF - hie（Cib VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz）：1.0至8.0pF kΩ

5. 功能详解： - CMXT3904设计用于小信号通用放大和开关应用，具有较高的hFE值和较低的VCE(SAT)，适合需要高增益和低饱和电压的应用。

6. 应用信息： - 适用于小信号通用放大和开关应用。

7. 封装信息： - SOT-26封装，具体尺寸和机械轮廓在PDF中有详细描述。

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