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CPD83V_10

CPD83V_10

  • 厂商:

    CENTRAL

  • 封装:

  • 描述:

    CPD83V_10 - Switching Diode High Speed Switching Diode Chip - Central Semiconductor Corp

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CPD83V_10 数据手册
PROCESS CPD83V Switching Diode High Speed Switching Diode Chip PROCESS DETAILS Process Die Size Die Thickness Anode Bonding Pad Area Top Side Metalization Back Side Metalization EPITAXIAL PLANAR 11 x 11 MILS 7.1 MILS 3.35 x 3.35 MILS Al - 30,000Å Au-As - 13,000Å GEOMETRY GROSS DIE PER 5 INCH WAFER 137,880 PRINCIPAL DEVICE TYPES CMPD914 CMPD4448 1N914 1N914B 1N4148 1N4448 1N4154 1N4454 CMPD2836 CMPD2838 CMPD7000 BACKSIDE CATHODE R0 R5 (22-March 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m PROCESS CPD83V Typical Electrical Characteristics R5 (22-March 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
CPD83V_10 价格&库存

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