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CQ202-4D

CQ202-4D

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

    TO-202

  • 描述:

    TRIAC 4A TH TO-202-2

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CQ202-4D 数据手册
CQ202-4B CQ202-4D CQ202-4M CQ202-4N 4.0 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ202-4B series type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-202 THYRISTOR CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL VDRM RMS On-State Current (TC=80°C) IT(RMS) Peak Non-Repetitive Surge Current (t=8.3ms) ITSM Peak Non-Repetitive Surge Current (t=10ms) ITSM I2t Value for Fusing (t=10ms) I 2t PGM PG (AV) IGM Tstg TJ ΘJA ΘJC Peak Gate Power (tp=10µs) Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current (tp=10µs) Storage Temperature Junction Temperature Thermal Resistance Thermal Resistance Peak Repetitive Off-State Voltage CQ202 -4B 200 CQ202 -4D 400 4.0 40 35 6.0 3.0 0.2 1.2 -40 to +150 -40 to +125 60 7.5 CQ202 -4M 600 CQ202 -4N UNITS 800 V A A A A2s W W A °C °C °C/W °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN IDRM IDRM IGT IGT IH VGT VGT VTM dv/dt Rated VDRM, RGK=1KΩ Rated VDRM, RGK=1KΩ, TC=125°C VD=12V, QUAD I, II, III VD=12V, QUAD IV RGK=1KΩ VD=12V, QUAD I, II, III VD=12V, QUAD IV ITM=6.0A, tp=380µs VD=2 /3 VDRM, TC=125°C 5.0 TYP MAX 10 200 UNITS µA µA mA mA mA V V V V/µs 6.6 35 5.2 1.1 2.0 1.25 20 50 25 1.5 2.5 1.60 R5 (27-June 2005) Central TM Semiconductor Corp. CQ202-4B CQ202-4D CQ202-4M CQ202-4N 4.0 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS TO-202 THYRISTOR CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) MT1 2) MT2 3) GATE NOTE: TAB IS COMMON TO PIN 2 (MT2) MARKING CODE: FULL PART NUMBER SYMBOL A B C D E F (DIA) G H J K L M N DIMENSIONS INCHES MILLIMETERS MIN MAX MIN MAX 0.057 0.061 1.45 1.55 0.019 0.021 0.49 0.52 0.175 0.180 4.44 4.56 0.376 0.388 9.55 9.85 0.118 0.134 3.00 3.40 0.124 0.126 3.15 3.20 0.035 0.043 0.90 1.10 0.023 0.028 0.59 0.71 0.098 0.102 2.49 2.59 0.459 0.559 11.66 14.21 0.280 0.301 7.12 7.65 0.406 0.425 10.30 10.80 0.024 0.059 0.60 1.50 TO-202 Thyristor (REV: R0) R5 (27-June 2005)
CQ202-4D
物料型号: - CQ202-4B - CQ202-4D - CQ202-4M - CQ202-4N

器件简介: Central Semiconductor Corp.生产的CQ202-4B系列是一种环氧模塑硅三极管,设计用于全波AC控制应用,具有在所有四个象限中的门触发功能。

引脚分配: - 1) MT1 - 2) MT2 - 3) GATE - 注:TAB是公共端,连接到引脚2(MT2)

参数特性: - 最大额定值: - 阻断峰值电压(VDRM):200V至800V不等 - 均方根导通电流(RMS On-State Current):4.0A(TC=80°C) - 峰值非重复浪涌电流(ITSM):35A至40A不等(t=8.3ms或t=10ms) - 12t值用于熔丝(t=10ms):6.0A^2s - 峰值门极功率(PGM):3.0W - 平均门极功率耗散(PG(AV)):0.2W - 峰值门极电流(GM):1.2A - 存储温度(Tstg):-40至+150°C - 结温(TJ):-40至+125°C - 热阻(OJA):60°C/W - 热阻(JC):7.5°C/W

- 电气特性(TC=25°C除非另有说明): - VDRM:额定VDRM,RGK=1KΩ时的最小值 - VORM:额定VORM,RGK=1K2,Tc=125°C时的最大值 - IGT:门极电流,不同象限有不同的最小和最大值 - IH:保持电流,RGK=1KΩ时的值 - VGT:门极触发电压,不同象限有不同的最小和最大值 - VTM:最大门极电压,ITM=6.0A,tp=380us时的值 - dv/dt:在Vd=2/3 VDRM,Tc=125°C时的值

功能详解: CQ202-4B系列三极管适用于全波AC控制应用,能在所有四个象限中通过门极触发来控制电流。

应用信息: 适用于需要全波控制的AC电路,如电机控制、照明调节等。

封装信息: TO-202三极管封装,具体尺寸如下: - A: 0.057至0.061英寸,1.45至1.55毫米 - B: 0.019至0.021英寸,0.49至0.52毫米 - C: 0.175至0.180英寸,4.44至4.56毫米 - D: 0.376至0.388英寸,9.55至9.85毫米 - 更多尺寸信息请参考PDF文档中的详细表格。
CQ202-4D 价格&库存

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