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CQ202-4DS

CQ202-4DS

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

    TO-202

  • 描述:

    TRIAC4ATHTO-202-2

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CQ202-4DS 数据手册
CQ202-4BS CQ202-4DS CQ202-4MS CQ202-4NS 4.0 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ202-4BS series type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-202 THYRISTOR CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL VDRM RMS On-State Current (TC=80°C) IT(RMS) Peak Non-Repetitive Surge Current (t=8.3ms) ITSM Peak Non-Repetitive Surge Current (t=10ms) ITSM I2t Value for Fusing (t=10ms) I 2t PGM PG (AV) IGM Tstg TJ ΘJA ΘJC Peak Gate Power (tp=10µs) Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current (tp=10µs) Storage Temperature Junction Temperature Thermal Resistance Thermal Resistance Peak Repetitive Off-State Voltage CQ202 -4BS 200 CQ202 -4DS 400 4.0 40 35 6.0 3.0 0.2 1.2 -40 to +150 -40 to +125 60 7.5 CQ202 -4MS 600 CQ202 -4NS UNITS 800 V A A A A2s W W A °C °C °C/W °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN IDRM IDRM IGT IGT IH VGT VTM dv/dt Rated VDRM, RGK=1KΩ Rated VDRM, RGK=1KΩ, TC=125°C VD=12V, QUAD I, II, III VD=12V, QUAD IV RGK=1KΩ VD=12V, QUAD I, II, III, IV ITM=6.0A, tp=380µs VD=2 /3 VDRM, TC=125°C 11 TYP MAX 10 200 UNITS µA µA mA mA mA V V V/µs 2.5 5.4 1.6 0.95 1.25 5.0 9.0 5.0 1.75 1.75 R5 (27-June 2005) Central TM Semiconductor Corp. CQ202-4BS CQ202-4DS CQ202-4MS CQ202-4NS 4.0 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS TO-202 THYRISTOR CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) MT1 2) MT2 3) GATE NOTE: TAB IS COMMON TO PIN 2 (MT2) MARKING CODE: FULL PART NUMBER SYMBOL A B C D E F (DIA) G H J K L M N DIMENSIONS INCHES MILLIMETERS MIN MAX MIN MAX 0.057 0.061 1.45 1.55 0.019 0.021 0.49 0.52 0.175 0.180 4.44 4.56 0.376 0.388 9.55 9.85 0.118 0.134 3.00 3.40 0.124 0.126 3.15 3.20 0.035 0.043 0.90 1.10 0.023 0.028 0.59 0.71 0.098 0.102 2.49 2.59 0.459 0.559 11.66 14.21 0.280 0.301 7.12 7.65 0.406 0.425 10.30 10.80 0.024 0.059 0.60 1.50 TO-202 Thyristor (REV: R0) R5 (27-June 2005)
CQ202-4DS
物料型号: - CQ202-4BS - CQ202-4DS - CQ202-4MS - CQ202-4NS

器件简介: CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ202-4BS系列是一种环氧模塑硅可控硅,设计用于全波AC控制应用,具有在所有四个象限内触发门控的特性。

引脚分配: 1. MT1 2. MT2 3. GATE

参数特性: - 峰值重复关断电压(VDRM):200V至800V不等,具体取决于型号。 - 均方根通态电流(IT(RMS)):4.0A,仅CQ202-4DS型号。 - 峰值非重复浪涌电流(ITSM):40A和35A,具体取决于型号。 - 12t值用于熔丝(t=10ms):6.0A,仅CQ202-4DS型号。 - 峰值门极功率(PGM):3.0W,仅CQ202-4DS型号。 - 平均门极功率耗散(PG(AV)):0.2W,仅CQ202-4DS型号。 - 峰值门极电流(GM):1.2A,仅CQ202-4DS型号。 - 存储温度(Tstg):-40至+150°C。 - 结温(TJ):-40至+125°C。 - 热阻(OJA):60°C/W。 - 热阻(JC):7.5°C/W。

功能详解: 该系列可控硅适用于全波AC控制应用,能够在四个象限内触发,适用于需要门控的电路。

应用信息: 适用于需要全波控制的应用场景,如电机控制、照明控制等。

封装信息: TO-202封装,具体尺寸如下: - A: 1.45-1.55mm - B: 0.49-0.52mm - C: 4.44-4.56mm - D: 9.55-9.85mm - E: 3.00-3.40mm - F(直径): 3.15-3.20mm - G: 0.90-1.10mm - H: 0.59-0.71mm - J: 2.49-2.59mm - K: 11.66-14.21mm - L: 7.12-7.65mm - M: 10.30-10.80mm - N: 0.60-1.50mm
CQ202-4DS 价格&库存

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