CQ202-4N

CQ202-4N

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

    TO-202

  • 描述:

    TRIAC 4A TH TO-202-2

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CQ202-4N 数据手册
CQ202-4M CQ202-4N 4.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ202-4M series type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-202 THYRISTOR CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL Peak Repetitive Off-State Voltage RMS On-State Current (TC=80°C) Peak One Cycle Surge (t=10ms) I2t Value for Fusing (t=10ms) Peak Gate Power (tp=10µs) Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current (tp=10µs) Storage Temperature Junction Temperature Thermal Resistance Thermal Resistance VDRM IT(RMS) ITSM I 2t PGM PG (AV) IGM Tstg TJ ΘJA ΘJC CQ202 -4M 600 4.0 40 2.4 3.0 0.2 1.2 -40 to +150 -40 to +125 60 7.5 CQ202 -4N 800 UNITS V A A A2s W W A °C °C °C/W °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN IDRM IDRM IGT IGT IH VGT VGT VTM dv/dt Rated VDRM, RGK=1KΩ Rated VDRM, RGK=1KΩ, TC=125°C VD=12V, QUAD I, II, III VD=12V, QUAD IV RGK=1KΩ VD=12V, QUAD I, II, III VD=12V, QUAD IV ITM=6.0A, tp=380µs VD=2 /3 VDRM, TC=125°C 5.0 TYP MAX 10 200 UNITS µA µA mA mA mA V V V V/µs 6.6 35 5.2 1.1 2.0 1.25 20 50 25 1.5 2.5 1.60 R4 (7-May 2004) Central TM Semiconductor Corp. CQ202-4M CQ202-4N 4.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS TO-202 THYRISTOR CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) MT1 2) MT2 3) GATE NOTE: TAB IS COMMON TO PIN 2 (MT2) MARKING CODE: FULL PART NUMBER SYMBOL A B C D E F (DIA) G H J K L M N DIMENSIONS INCHES MILLIMETERS MIN MAX MIN MAX 0.057 0.061 1.45 1.55 0.019 0.021 0.49 0.52 0.175 0.180 4.44 4.56 0.376 0.388 9.55 9.85 0.118 0.134 3.00 3.40 0.124 0.126 3.15 3.20 0.035 0.043 0.90 1.10 0.023 0.028 0.59 0.71 0.098 0.102 2.49 2.59 0.459 0.559 11.66 14.21 0.280 0.301 7.12 7.65 0.406 0.425 10.30 10.80 0.024 0.059 0.60 1.50 TO-202 Thyristor (REV: R0) R4 (7-May 2004)
CQ202-4N
物料型号: - CQ202-4M和CQ202-4N是由Central Semiconductor Corp.生产的硅可控硅器件。

器件简介: - CQ202-4M系列是一种环氧模塑的硅可控硅,适用于全波AC控制应用,具有在所有四个象限内触发门控的特性。

引脚分配: - 引脚1(MT1)和引脚2(MT2)是主端子,引脚3是门极(GATE),其中TAB是引脚2(MT2)共有的。

参数特性: - 最大额定值: - CQ202-4M:断态重复峰值电压(VDRM)600V,RMS导通电流(IT(RMS))4.0A。 - CQ202-4N:断态重复峰值电压(VDRM)800V,RMS导通电流(IT(RMS))4.0A。 - 电气特性(测试条件为25°C,除非另有说明): - IDRM:在额定VDRM和RGK=1K条件下的漏电流,最小值10mA。 - DRM:在额定VDRM和TC=125°C条件下的保持电流,最大值200mA。 - IGT:在VD=12V条件下的门极触发电流,不同象限有不同的范围。 - H:在RGK=1K条件下的维持电流,范围5.2mA至25mA。 - VGT:在VD=12V条件下的门极触发电压,不同象限有不同的范围。 - VTM:在ITM=6.0A和tp=380us条件下的门极电压,范围1.25V至1.60V。 - dv/dt:在VD=2/3 VDRM和TC=125°C条件下的变化率,最小值5.0V/μs。

功能详解应用信息: - 这些可控硅器件适用于需要全波控制的应用,如电机控制、照明控制等。

封装信息: - 封装为TO-202晶体管外壳,具体尺寸如下: - A:1.45mm至1.55mm - B:0.49mm至0.52mm - C:4.44mm至4.56mm - D:9.55mm至9.85mm - E:3.00mm至3.40mm - F(直径):3.15mm至3.20mm - G:0.90mm至1.10mm - H:0.59mm至0.71mm - J:2.49mm至2.59mm - K:11.66mm至14.21mm - L:7.12mm至7.65mm - M:10.30mm至10.80mm - N:0.60mm至1.50mm
CQ202-4N 价格&库存

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