CQ220-12M

CQ220-12M

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRIAC 12A TO-220

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CQ220-12M 数据手册
CQ220-12B CQ220-12D CQ220-12M CQ220-12N 12 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ220-12B series type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-220 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL Peak Repetitive Off-State Voltage RMS On-State Current (TC=90°C) Peak One Cycle Surge (t=8.3ms) I2t Value for Fusing (t=8.3ms) Peak Gate Power (tp=10µs) Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current (tp=10µs) Peak Gate Voltage (tp=10µs) Critical Rate of Rise of On-State Current Repetitive (f=60Hz) Storage Temperature Junction Temperature Thermal Resistance Thermal Resistance di/dt Tstg TJ ΘJA ΘJC 10 -40 to +150 -40 to +125 60 2.7 A/µs °C °C °C/W °C/W VDRM IT(RMS) ITSM I2t PGM PG (AV) IGM VGM CQ220 -12B 200 CQ220 -12D 400 12 80 27 40 1.0 4.0 16 CQ220 CQ220 -12M -12N 600 800 UNITS V A A A2s W W A V ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN IDRM IDRM IGT IGT IH VGT VGT VTM dv/dt Rated VDRM Rated VDRM, TC=125°C VD=12V, RL=10Ω, QUAD I, II, III VD=12V, RL=10Ω, QUAD IV IT=100mA VD=12V, RL=10Ω, QUAD I, II, III VD=12V, RL=10Ω, QUAD IV ITM=17A, tp=380µs VD=2 /3 VDRM, RGK=∞, TC=125°C 10 TYP MAX 10 500 UNITS µA µA mA mA mA V V V V/µs 9.9 24.3 14.1 1.10 2.10 1.33 20 50 25 1.50 2.50 1.50 R2 (24-September 2004) Central TM Semiconductor Corp. CQ220-12B CQ220-12D CQ220-12M CQ220-12N 12 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS TO-220 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) MT1 2) MT2 3) GATE NOTE: TAB IS COMMON TO PIN 2 (MT2) MARKING CODE: FULL PART NUMBER SYMBOL A B C D E F (DIA) G H I J K L M DIMENSIONS INCHES MILLIMETERS MIN MAX MIN MAX 0.170 0.190 4.31 4.82 0.045 0.055 1.15 1.39 0.013 0.026 0.33 0.65 0.083 0.107 2.10 2.72 0.394 0.417 10.01 10.60 0.140 0.157 3.55 4.00 0.100 0.118 2.54 3.00 0.230 0.270 5.85 6.85 0.560 0.625 14.23 15.87 0.250 6.35 0.025 0.038 0.64 0.96 0.500 0.579 12.70 14.70 0.090 0.110 2.29 2.79 TO-220 (REV: R2) R2 (24-September 2004)
CQ220-12M
### 物料型号 - CQ220-12B - CQ220-12D - CQ220-12M - CQ220-12N

### 器件简介 CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ220-12B系列是一种环氧模塑硅三极管,设计用于全波AC控制应用,具有在所有四个象限中的门触发功能。

### 引脚分配 - MT1 - MT2 - GATE

### 参数特性 - 最大额定值: - 断态重复峰值电压(VDRM):200V至800V不等 - 均方根通态电流(IT(RMS)):12A(TC=90°C) - 峰值单周期浪涌电流(ITSM):80A(t=8.3ms) - I2t值(ITSM):27A²s - 峰值门极功率(PGM):40W(tp=10μs) - 平均门极功率耗散(PG(AV)):1.0W - 峰值门极电流(IGM):4.0A - 峰值门极电压(VGM):16V - 关断状态电流上升率(di/dt):10A/μs(f=60Hz)

- 电气特性(TC=25°C): - DRM:额定VDRM下的漏电流 - IGT:门极触发电流 - IH:保持电流 - VGT:门极触发电压 - VTM:门极触发电压(ITM=17A, tp=380μs) - dv/dt:电压变化率

### 功能详解 CQ220-12B系列三极管主要用于全波AC控制应用,能够在所有四个象限中进行门触发,适用于需要精确控制交流电流的应用。

### 应用信息 适用于需要全波控制的AC电路,如电机控制、照明控制等。

### 封装信息 - 封装类型:TO-220 - 引脚配置:3个引脚,包括两个主端(MT1和MT2)和一个门极(GATE)
CQ220-12M 价格&库存

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