CQ220-25D

CQ220-25D

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRIAC 25A TO-220

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CQ220-25D 数据手册
CQ220-25B CQ220-25D CQ220-25M CQ220-25N 25 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ220-25B series type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-220 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL Peak Repetitive Off-State Voltage RMS On-State Current (TC=90°C) Peak One Cycle Surge (t=8.3ms) I2t Value for Fusing (t=8.3ms) Peak Gate Power (tp=10µs) Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current (tp=10µs) Peak Gate Voltage (tp=10µs) Critical Rate of Rise of On-State Current Repetitive (f=60Hz) Storage Temperature Junction Temperature Thermal Resistance Thermal Resistance di/dt Tstg TJ ΘJA ΘJC 10 -40 to +150 -40 to +125 60 1.7 A/µs °C °C °C/W °C/W VDRM IT(RMS) ITSM I2t PGM PG (AV) IGM VGM CQ220 -25B 200 CQ220 -25D 400 25 150 94 40 1.0 10 16 CQ220 CQ220 -25M -25N 600 800 UNITS V A A A2s W W A V ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN IDRM IDRM IGT IGT IH VGT VGT VTM dv/dt Rated VDRM Rated VDRM, TC=125°C VD=12V, RL=10Ω, QUAD I, II, III VD=12V, RL=10Ω, QUAD IV IT=100mA VD=12V, RL=10Ω, QUAD I, II, III VD=12V, RL=10Ω, QUAD IV ITM=35A, tp=380µs VD=2 /3 VDRM, RGK=∞, TC=125°C 6.0 TYP MAX 10 2.0 UNITS µA mA mA mA mA V V V V/µs 11.1 28.2 18.4 1.03 1.74 30 60 50 1.50 2.50 1.80 R2 (24-September 2004) Central TM Semiconductor Corp. CQ220-25B CQ220-25D CQ220-25M CQ220-25N 25 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS TO-220 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) MT1 2) MT2 3) GATE NOTE: TAB IS COMMON TO PIN 2 (MT2) MARKING CODE: FULL PART NUMBER SYMBOL A B C D E F (DIA) G H I J K L M DIMENSIONS INCHES MILLIMETERS MIN MAX MIN MAX 0.170 0.190 4.31 4.82 0.045 0.055 1.15 1.39 0.013 0.026 0.33 0.65 0.083 0.107 2.10 2.72 0.394 0.417 10.01 10.60 0.140 0.157 3.55 4.00 0.100 0.118 2.54 3.00 0.230 0.270 5.85 6.85 0.560 0.625 14.23 15.87 0.250 6.35 0.025 0.038 0.64 0.96 0.500 0.579 12.70 14.70 0.090 0.110 2.29 2.79 TO-220 (REV: R2) R2 (24-September 2004)
CQ220-25D
1. 物料型号: - CQ220-25B - CQ220-25D - CQ220-25M - CQ220-25N

2. 器件简介: - CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ220-25B系列是一种环氧模塑硅可控硅,设计用于全波AC控制应用,具有在所有四个象限中的门触发功能。

3. 引脚分配: - MT1:引脚1 - MT2:引脚2(公共) - GATE:引脚3

4. 参数特性: - 最大重复关断电压(VDRM):200V至800V不等 - RMS导通电流(IT(RMS)):25A - 峰值单周期浪涌电流(ITSM):150A - I2t值(I2t):94A²s - 峰值门极功率(PGM):40W - 平均门极功率耗散(PG(AV)):1.0W - 峰值门极电流(IGM):10A - 峰值门极电压(VGM):16V - 关键速率上升的导通电流(di/dt):10A/µs - 存储温度(Tstg):-40至+150°C - 结温(TJ):-40至+125°C - 热阻(ΘJA):60°C/W - 热阻(ΘJC):1.7°C/W

5. 功能详解: - 该系列器件适用于全波AC控制应用,能在四个象限内进行门触发控制。

6. 应用信息: - 适用于需要全波AC控制的应用场合。

7. 封装信息: - TO-220封装,具体尺寸如下: - A:0.170至0.190英寸(4.31至4.82毫米) - B:0.045至0.055英寸(1.15至1.39毫米) - C:0.013至0.026英寸(0.33至0.65毫米) - D:0.083至0.107英寸(2.10至2.72毫米) - E:0.394至0.417英寸(10.01至10.60毫米) - F(DIA):0.140至0.157英寸(3.55至4.00毫米) - G:0.100至0.118英寸(2.54至3.00毫米) - H:0.230至0.270英寸(5.85至6.85毫米) - J:0.560至0.625英寸(14.23至15.87毫米) - K:0.025至0.038英寸(0.64至0.96毫米) - L:0.500至0.579英寸(12.70至14.70毫米) - M:0.090至0.110英寸(2.29至2.79毫米)
CQ220-25D 价格&库存

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