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CS223-2M_10

CS223-2M_10

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    CS223-2M_10 - SURFACE MOUNT 2 AMP SILICON SCR 600 THRU 800 VOLTS - Central Semiconductor Corp

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  • 数据手册
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CS223-2M_10 数据手册
CS223-2M CS223-2N SURFACE MOUNT 2 AMP SILICON SCR 600 THRU 800 VOLTS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS223-2M series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier designed for sensing circuit applications and control systems. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) Peak Repetitive Off-State Voltage RMS On-State Current (TC=60°C) Peak One Cycle Surge, t=10ms I2t Value for Fusing, t=10ms Peak Gate Power, tp=10μs Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current, tp=10μs Peak Gate Voltage, tp=10μs Operating Junction Temperature Storage Temperature Thermal Resistance SYMBOL VDRM, VRRM IT(RMS) ITSM I2t PGM PG (AV) IGM VGM TJ Tstg ΘJA CS223-2M 600 2.0 10 CS223-2N 800 UNITS V A A A2s W W A V °C °C °C/W 0.24 2.0 0.1 1.0 8.0 -40 to +125 -40 to +150 62.5 ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN IDRM, IRRM IDRM, IRRM IGT IH VGT VTM dv/dt Rated VDRM, VRRM, RGK=1KΩ Rated VDRM, VRRM, RGK=1KΩ, TC=125°C VD=12V RGK=1KΩ VD=12V ITM=4.0A, tp=380μs VD=2 /3 VDRM, RGK=1KΩ, TC=125°C TYP MAX 10 100 UNITS μA μA μA mA V V V/μs 20 200 2.0 0.8 1.4 10 1.7 R1 (12-February 2010) CS223-2M CS223-2N SURFACE MOUNT 2 AMP SILICON SCR 600 THRU 800 VOLTS SOT-223 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Cathode 2) Anode 3) Gate 4) Anode MARKING: FULL PART NUMBER R1 (12-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
CS223-2M_10
1. 物料型号: - CS223-2M和CS223-2N是中央半导体公司生产的表面贴装型2安培硅可控整流器。

2. 器件简介: - CS223-2M系列是一种环氧模塑的硅可控整流器,适用于传感电路应用和控制系统。

3. 引脚分配: - 引脚代码:1) 阴极,2) 阳极,3) 门极,4) 阳极。

4. 参数特性: - 最大额定值(TC=25°C除非另有说明): - 峰值重复关断电压(VDRM, VRRM):CS223-2M为600V,CS223-2N为800V。 - 有效值通态电流(IT(RMS)):CS223-2M为2.0A。 - 峰值单周期浪涌电流(ITSM):CS223-2M为10A。 - 10ms内I²t值用于熔断(12t):CS223-2M为0.24A²s。 - 芯片峰值门极功率(PGM):CS223-2M为2.0W。 - 平均门极功率耗散(PG(AV)):CS223-2M为0.1W。 - 峰值门极电流(IGM):CS223-2M为1.0A。 - 峰值门极电压(VGM):CS223-2M为8.0V。 - 工作结温(TJ):-40至+125°C。 - 存储温度(Tstg):-40至+150°C。 - 热阻(OJA):CS223-2M为62.5°C/W。

5. 功能详解: - 该器件为硅可控整流器,用于控制电路中的电流方向和大小,具体功能包括电流控制和电压调节。

6. 应用信息: - 适用于需要电流控制和电压调节的应用,如电源管理、电机控制等。

7. 封装信息: - 采用SOT-223封装,具体尺寸如下: - A: 0°至10° - B: 0.059至0.071英寸(1.50至1.80毫米) - C: 0.018英寸(0.45毫米) - D: 0.000至0.004英寸(0.00至0.10毫米) - E: 15° - F: 0.009至0.014英寸(0.23至0.35毫米) - G: 0.248至0.264英寸(6.30至6.70毫米) - H: 0.114至0.122英寸(2.90至3.10毫米) - J: 0.264至0.287英寸(6.70至7.30毫米) - K: 0.024至0.033英寸(0.60至0.85毫米) - L: 0.091英寸(2.30毫米) - M: 0.181英寸(4.60毫米)
CS223-2M_10 价格&库存

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