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CS223-4M_10

CS223-4M_10

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    CS223-4M_10 - SURFACE MOUNT 4 AMP SILICON SCR 600 THRU 800 VOLTS - Central Semiconductor Corp

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CS223-4M_10 数据手册
CS223-4M CS223-4N SURFACE MOUNT 4 AMP SILICON SCR 600 THRU 800 VOLTS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS223-4M series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier designed for sensing circuit applications and control systems. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) Peak Repetitive Off-State Voltage RMS On-State Current (TC=85°C) Peak One Cycle Surge, t=10ms I2t Value for Fusing, t=10ms Peak Gate Power, tp=20μs Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current, tp=20μs Critical Rate of Rise of On-State Current Operating Junction Temperature Storage Temperature Thermal Resistance SYMBOL VDRM, VRRM IT(RMS) ITSM I2t PGM PG (AV) IGM di/dt TJ Tstg ΘJA CS223-4M 600 4.0 30 4.5 3.0 0.2 1.2 50 CS223-4N 800 UNITS V A A A2s W W A A/μs °C °C °C/W -40 to +125 -40 to +150 62.5 ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN IDRM, IDRM, IGT IH VGT VTM dv/dt IRRM IRRM Rated VDRM, Rated VDRM, VRRM, RGK=1KΩ VRRM, RGK=1KΩ, TC=125°C 20 TYP MAX 10 200 UNITS μA μA μA mA V V V/μs VD=12V, RL=10Ω IT=50mA, RGK=1KΩ VD=12V, RL=10Ω ITM=8.0A, tp=380μs VD=2 /3 VDRM, RGK=1KΩ, TC=125°C 38 0.25 0.55 1.6 200 2.0 0.8 1.8 10 R1 (12-February 2010) CS223-4M CS223-4N SURFACE MOUNT 4 AMP SILICON SCR 600 THRU 800 VOLTS SOT-223 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Cathode 2) Anode 3) Gate 4) Anode MARKING: FULL PART NUMBER R1 (12-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
CS223-4M_10
1. 物料型号: - CS223-4M - CS223-4N

2. 器件简介: - CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的CS223-4M系列是一种环氧模塑的硅可控整流器,适用于传感电路和控制系统。

3. 引脚分配: - 1) 阴极(Cathode) - 2) 阳极(Anode) - 3) 门极(Gate) - 4) 阳极(Anode)

4. 参数特性: - 最大重复关断电压:CS223-4M为600V,CS223-4N为800V - 85°C时的RMS导通电流:CS223-4M为4.0A - 10ms的峰值单周期浪涌电流:CS223-4M为30A - 10ms的I²t熔断值:CS223-4M为4.5A²s - 20us的峰值门极功率:CS223-4M为3.0W - 芯片平均门极功率耗散:CS223-4M为0.2W - 20us的峰值门极电流:CS223-4M为1.2A - 关断电流上升速率:50A/s - 工作结温:-40至+125°C - 存储温度:-40至+150°C - 热阻:CS223-4M为62.5°C/W

5. 功能详解: - 该器件为表面贴装型4安培硅可控整流器,电压范围600至800伏特,适用于需要控制电流方向和大小的电路。

6. 应用信息: - 适用于传感电路和控制系统,具体应用场景未在文档中详述。

7. 封装信息: - SOT-223封装,具体尺寸如下: - A: 0°至10° - B: 0.059至0.071英寸(1.50至1.80毫米) - C: 0.018英寸(0.45毫米) - D: 0.000至0.004英寸(0.00至0.10毫米) - E: 15° - F: 0.009至0.014英寸(0.23至0.35毫米) - G: 0.248至0.264英寸(6.30至6.70毫米) - H: 0.114至0.122英寸(2.90至3.10毫米) - J: 0.264至0.287英寸(6.70至7.30毫米) - K: 0.024至0.033英寸(0.60至0.85毫米) - L: 0.091英寸(2.30毫米) - M: 0.181英寸(4.60毫米)
CS223-4M_10 价格&库存

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