1. 物料型号：
- CSDD-25M和CSDD-25N是Central Semiconductor Corp.生产的硅控制整流器。
2. 器件简介：
- 这些器件是环氧模塑的硅控制整流器，设计用于传感电路应用和控制系统。
3. 引脚分配：
- 引脚代码：1) 阴极（CATHODE）2) 阳极（ANODE）3) 门极（GATE）4) 阳极（ANODE）。
4. 参数特性：
- 最大额定值：
- CSDD-25M：400V反向重复峰值关断电压，25A RMS导通电流。
- CSDD-25N：600V反向重复峰值关断电压，250A峰值单周期浪涌电流。
- 电气特性（25°C条件下）：
- 额定VDRM/VRRM下的漏电流（IRM, IRRM）最大为4.0mA。
- 门极触发电流（IGT）在12V下，最小4.2mA，最大30mA。
- 门极关闭电流（H）在100mA下，最小12.5mA，最大50mA。
- 门极触发电压（VGT）在12V下，最小0.65V，最大1.50V。
- 峰值通态电压（VTM）在50A下，为1.80V。
- 通态电流上升速率（di/dt）在2/3 VDRM和125°C下，为200V/s。
5. 功能详解：
- 这些器件作为硅控制整流器，主要用于交流电路中的相控整流，能够控制电流的方向和大小。
6. 应用信息：
- 适用于需要相控整流的场合，如电机控制、电源调节等。
7. 封装信息：
- 封装类型为D2PAK，具体尺寸和标记代码已在文档中提供。
