CSDD-25N

CSDD-25N

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    CSDD-25N - SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMP, 600 THRU 800 VOLTS - Central Semicondu...

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CSDD-25N 数据手册
CSDD-25M CSDD-25N SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMP, 600 THRU 800 VOLTS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSDD-25M series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier designed for sensing circuit applications and control systems. MARKING: FULL PART NUMBER D2PAK CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) Peak Repetitive Off-State Voltage RMS On-State Current (TC=90°C) Peak Non-Repetitive Surge Current, t=8.3ms Peak Non-Repetitive Surge Current, t=10ms I2t Value for Fusing, t=10ms Peak Gate Power, tp=10μs Average Gate Power Dissipation Peak Forward Gate Current, tp=10μs Peak Forward Gate Voltage, tp=10μs Peak Reverse Gate Voltage, tp=10μs Critical Rate of Rise of On-State Current Operating Junction Temperature Storage Temperature Thermal Resistance Thermal Resistance SYMBOL VDRM, VRRM IT(RMS) ITSM ITSM I2t PGM PG(AV) IFGM VFGM VRGM di/dt TJ Tstg ΘJA ΘJC CSDD-25M 600 CSDD-25N 800 25 UNITS V A A A A2s W W A V V A/μs °C °C °C/W °C/W 260 250 310 40 1.0 4.0 16 5.0 100 -40 to +125 -40 to +150 60 1.3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL IDRM, IRRM IDRM, IRRM IGT IH VGT VTM dv/dt TEST CONDITIONS Rated VDRM, VRRM Rated VDRM, VRRM, TC=125°C VD=12V, RL=10Ω IT=100mA VD=12V, RL=10Ω ITM=50A, tp=380μs VD=2 /3 VDRM, TC=125°C 200 MIN TYP MAX 10 4.0 4.2 12.5 0.65 30 50 1.50 1.80 UNITS μA mA mA mA V V V/μs R2 (17-February 2010) CSDD-25M CSDD-25N SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMP, 600 THRU 800 VOLTS D2PAK CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Cathode 2) Anode 3) Gate 4) Anode MARKING: FULL PART NUMBER R2 (17-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
CSDD-25N
1. 物料型号: - CSDD-25M和CSDD-25N是表面贴装硅控制整流器,分别适用于600V和800V的工作电压。

2. 器件简介: - 该系列是环氧模塑的硅控制整流器,设计用于传感电路和控制系统。

3. 引脚分配: - 引脚1:阴极(Cathode) - 引脚2:阳极(Anode) - 引脚3:门极(Gate) - 引脚4:阳极(Anode)

4. 参数特性: - 最大重复关断电压:CSDD-25M为600V,CSDD-25N为800V。 - 25°C时的RMS导通电流:CSDD-25M为25A。 - 峰值非重复浪涌电流:CSDD-25M为260A,CSDD-25N为250A。 - 10ms的I2t熔断值:CSDD-25M为310A²s。 - 峰值门极功率:40W。 - 平均门极功率耗散:1.0W。 - 峰值正向门极电流:4.0A。 - 峰值正向门极电压:16V。 - 峰值反向门极电压:5.0V。 - 关键导通电流上升率:100A/us。 - 工作结温:-40至+125°C。 - 存储温度:-40至+150°C。 - 热阻:OJA为60°C/W,JC为1.3°C/W。

5. 功能详解: - 该器件为硅控制整流器,用于交流电路中作为相控整流器使用,控制交流电转换为直流电的过程。

6. 应用信息: - 适用于需要相控整流的场合,如交流电动机控制、调光器、变频驱动等。

7. 封装信息: - 封装类型为D2PAK,具体尺寸和机械轮廓图已在文档中提供。
CSDD-25N 价格&库存

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