CTLT8099-M322S

CTLT8099-M322S

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    CTLT8099-M322S - SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: - Central Semiconductor Corp

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CTLT8099-M322S 数据手册
CTLT8099-M322S w w w. c e n t r a l s e m i . c o m SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT8099-M322S is a silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a low profile, 2x2mm TLM™ surface mount package, designed for general purpose amplification and switching in energy efficient applications. MARKING CODE: 89C TLM322S CASE APPLICATIONS: • Load switching • Display drive • Power management • Gate drive SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD TJ, Tstg ΘJA 80 80 6.0 500 1.45 -65 to +150 86.2 UNITS V V V mA W °C °C/W MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN ICBO VCB=80V IEBO BVCBO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(ON) hFE hFE hFE fT Cob Cib VBE=6.0V IC=100μA IC=10mA IE=10μA IC=100mA, IB=5.0mA IC=100mA, IB=10mA VCE=5.0V, IC=10mA VCE=5.0V, IC=1.0mA VCE=5.0V, IC=10mA VCE=5.0V, VCE=5.0V, IC=100mA IC=10mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz 0.6 100 100 75 150 80 80 6.0 MAX 0.1 0.1 UNITS μA μA V V V 0.4 0.3 0.8 300 V V V MHz 6.0 25 pF pF R4 (29-March 2012) CTLT8099-M322S SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR TLM322S CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Base 2) Emitter 3) Collector MARKING CODE: 89C R4 (29-March 2012) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
CTLT8099-M322S
1. 物料型号: - 型号为CTLT8099-M322S,由Central Semiconductor制造。

2. 器件简介: - CTLT8099-M322S是一款采用外延平面工艺制造的硅晶体管,以环氧树脂封装在低轮廓的2x2mm TLM™表面贴装封装中,适用于能效应用中的一般目的放大和开关。

3. 引脚分配: - 引脚代码:1) 基极(Base)2) 发射极(Emitter)3) 集电极(Collector)。

4. 参数特性: - 最大额定值(TA=25°C): - 集电极-基极电压(VCBO):80V - 集电极-发射极电压(VCEO):80V - 发射极-基极电压(VEBO):6.0V - 连续集电极电流(Ic):500mA - 功耗(PD):1.45W - 工作和存储结温(TJ,Tstg):-65至+150°C - 热阻(OJA):86.2°C/W - 电性参数: - 冰点电流(ICBO):0.1μA至1mA - 击穿电压(BVCBO, BVCEO, BVEBO):80V - 饱和电压(VCE(SAT)):0.3V至0.4V - 基极-发射极电压(VBE(ON)):0.8V - 电流增益(hFE):在不同集电极电流下,范围为75至300 - 截止频率(fT):150MHz - 电容(Cob, Cib):6.0pF至25pF

5. 功能详解: - 该晶体管适用于负载开关、显示驱动、电源管理和栅极驱动等应用。

6. 应用信息: - 应用包括负载开关、显示驱动、电源管理和栅极驱动。

7. 封装信息: - 封装为TLM™表面贴装封装,尺寸参数详见PDF文档中的图表。
CTLT8099-M322S 价格&库存

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