CXT3090L

厂商：
CENTRAL(中环)
封装：
描述：
CXT3090L - SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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CXT3090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3090L is a Low VCE(SAT) NPN Transistor in a Power SOT-89 surface mount package, designed for DC-DC converters for mobile systems and LAN cards, motor control, power management and strobe flash units. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) SYMBOL TEST CONDITIONS ICBO IEBO BVCBO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VCE(SAT) VCE(SAT) hFE hFE hFE Cob fT VCB=20V VEB=5.0V IC=10µA IC=10mA IE=10µA IC=100mA, IB=1.0mA IC=1.0A, IB=20mA IC=2.0A, IB=200mA IC=3.0A, IB=60mA IC=1.0A VCE=2.0V, IC=3.0A VCB=10V, f=1.0MHz VCE=10V, IC=500mA 100 VCE=2.0V, VCE=2.0V, IC=500mA 200 200 150 100 pF MHz 45 15 6.0 30 60 85 145 50 150 200 300 SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PD TJ, Tstg ΘJA 45 15 6.0 3.0 5.0 1.2 -65 to +175 125 UNITS V V V A A W °C °C/W MIN TYP MAX 100 100 UNITS nA nA V V V mV mV mV mV R5 (23-February 2010) CXT3090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) NPN SILICON POWER TRANSISTOR SOT-89 CASE - MECHANICAL OUTLINE (Bottom View) LEAD CODE: 1) Emitter 2) Collector 3) Base MARKING: FULL PART NUMBER R5 (23-February 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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CXT3090L

1. 物料型号： - 型号为CXT3090L。

2. 器件简介： - CXT3090L是一款低VCE(SAT) NPN硅功率晶体管，采用SOT-89表面贴装封装，适用于移动系统和局域网卡的DC-DC转换器、电机控制、电源管理和频闪单元。

3. 引脚分配： - 引脚编号：1) 发射极（Emitter），2) 集电极（Collector），3) 基极（Base）。

4. 参数特性： - 最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：45V - 集电极-发射极电压（VCEO）：15V - 发射极-基极电压（VEBO）：6.0V - 连续集电极电流（Ic）：3.0A - 峰值集电极电流（ICM）：5.0A - 功率耗散（PD）：1.2W - 工作和存储结温（TJ,Tstg）：-65至+175°C - 热阻（eJA）：125°C/W - 电气特性： - 集电极-基极反向电流（ICBO）：最大100nA - 发射极-基极反向电流（IEBO）：最大100nA - 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：最小45V - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：最小15V - 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：最小6.0V - 饱和压降（VCE(SAT)）：在不同集电极电流下有不同的典型值，例如在Ic=100mA时典型值为30mV - 电流增益（hFE）：在不同集电极电流下有不同的典型值，例如在Ic=500mA时典型值为200 - 截止频率（fT）：100MHz

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于需要低饱和压降的应用，如DC-DC转换器、电机控制等。

6. 应用信息： - 适用于移动系统和局域网卡的DC-DC转换器、电机控制、电源管理和频闪单元。

7. 封装信息： - 采用SOT-89表面贴装封装，具体尺寸和引脚布局已在文档中提供。

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