物料型号：
- CXTA27
器件简介：
- CXTA27是一种NPN型硅达林顿晶体管，由中央半导体公司（Central Semiconductor）生产。该器件采用外延平面工艺制造，以环氧树脂封装在表面贴装包中，适用于需要极高增益的应用。
引脚分配：
- 引脚1：发射极（Emitter）
- 引脚2：集电极（Collector）
- 引脚3：基极（Base）
参数特性：
- 最大额定值：
- 集电极-发射极电压（VCES）：60V
- 发射极-基极电压（VEBO）：10V
- 连续集电极电流（Ic）：500mA
- 功率耗散（PD）：1.2W
- 储存结温范围（Tstg）：-65至+150°C
- 热阻（θJA）：104°C/W
- 电气特性：
- 集电极-基极漏电流（ICBO）：最大100nA
- 集电极饱和电流（ICES）：最大500nA
- 基极-发射极漏电流（EBO）：最大100nA
- 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：60V
- 集电极-发射极击穿电压（BVCES）：60V
- 饱和压降（VCE(SAT)）：最大1.5V
- 导通电压（VBE(ON)）：最大2.0V
- 电流增益（hFE）：最小10000
- 截止频率（fT）：125MHz
功能详解：
- CXTA27是一种高增益的NPN达林顿晶体管，适用于需要高电流驱动和高输入阻抗的应用，例如在音频放大器和电源开关中。
应用信息：
- 该器件适用于需要高增益和高电流驱动的应用，例如音频放大器和电源开关。
封装信息：
- 封装类型为SOT-89，具体尺寸如下：
- A：1.40-1.70英寸（35.56-43.18毫米）
- B：4英寸（101.60毫米）
- C：0.35-0.46英寸（8.89-11.68毫米）
- D：4.40-4.70英寸（111.76-119.38毫米）
- E：1.62-1.87英寸（41.15-47.50毫米）
- F：3.70-4.50英寸（93.98-114.30毫米）
- G：2.29-2.70英寸（58.17-68.58毫米）
- H：0.70-1.30英寸（17.78-33.02毫米）
- J：0.36-0.48英寸（9.14-12.19毫米）
- K：0.44-0.58英寸（11.18-14.73毫米）
- L：1.50英寸（38.10毫米）
- M：3.00英寸（76.20毫米）
