1. 物料型号:CZT5551HC,由Central Semiconductor Corp.生产。
2. 器件简介:CZT5551HC是一种高电流NPN硅晶体管,采用外延平面工艺制造,表面贴装封装,适用于高电压和高电流放大应用。
3. 引脚分配:SOT-223封装,引脚代码为1) 基极 2) 集电极 3) 发射极 4) 集电极。
4. 参数特性:
- 最大额定值:
- 集-基电压(VCBO):180V
- 集-射电压(VCEO):160V
- 发-基电压(VEBO):6.0V
- 集电极电流(Ic):1.0A
- 功率耗散(PD):2.0W
- 结温(TJ,Tstg):-65至+150°C
- 热阻(θJA):62.5°C/W
- 电气特性:
- 集电极-基极漏电流(ICBO):在VCB=120V时,最大50nA
- 发射极-基极电压(VBE(SAT)):在Ic=10mA时,最小1.00V
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(SAT)):在Ic=10mA时,最小0.15V
- 直流电流增益(hFE):在VCE=5.0V, Ic=1.0mA时,最小80
- 截止频率(fT):在VcE=10V, Ic=10mA时,最小100MHz
- 存储时间(Cob):在VcB=10V, f=1.0MHz时,最大15pF
5. 功能详解:CZT5551HC适用于需要高电压和高电流放大的应用场合,例如电源管理、电机控制和音频放大器。
6. 应用信息:适用于高电压和高电流放大应用,具体应用包括电源管理、电机控制和音频放大器。
7. 封装信息:SOT-223表面贴装封装,具体尺寸和机械轮廓图已在文档中提供。