物料型号：
- 型号为CZT651，由Central Semiconductor Corp.生产。
器件简介：
- CZT651是一款NPN型硅晶体管，采用外延平面工艺制造，表面贴装封装，适用于高电流应用。
引脚分配：
- 引脚代码：1) 基极（BASE）2) 集电极（COLLECTOR）3) 发射极（EMITTER）4) 集电极（COLLECTOR）。
参数特性：
- 最大额定值：
- 集-基电压（VCBO）：80V
- 集-射电压（VCEO）：60V
- 发-基电压（VEBO）：5.0V
- 集电极电流（Ic）：2.0A
- 功率耗散（PD）：2.0W
- 结温（TJ.Tstg）：-65至+150°C
- 热阻（θJA）：62.5°C/W
功能详解：
- 电气特性（TA=25°C，除非另有说明）：
- CBO（VCB=80V）：漏电流，100nA
- EBO（VEB=4.0V）：漏电流，100nA
- BVCBO（Ic=100μA）：击穿电压，80V
- BVCEO（Ic=10mA）：击穿电压，60V
- BVEBO（IE=10μA）：击穿电压，5.0V
- VCE(SAT)（Ic=1.0A, Ig=100mA）：饱和电压，0.3V
- VCE(SAT)（Ic=2.0A, Ib=200mA）：饱和电压，0.5V
- VBE(SAT)（Ic=1.0A, Ig=100mA）：饱和电压，1.2V
- VBE(ON)（VCE=2.0V, Ic=1.0A）：开启电压，1.0V
- hFE（VCE=2.0V, Ic=50mA）：增益，75
- hFE（VCE=2.0V, Ic=500mA）：增益，75
- hFE（VCE=2.0V, Ic=1.0A）：增益，75
- hFE（VCE=2.0V, Ic=2.0A）：增益，40
- fT（VCE=5.0V, Ic=50mA, f=100MHz）：截止频率，75MHz
应用信息：
- 适用于高电流应用。
封装信息：
- 封装类型为SOT-223，具体尺寸和引脚信息如下：
- A: 0°至10°
- B: 0.059至0.071英寸（1.50至1.80毫米）
- C: 0.018英寸（0.45毫米）
- D: 0.000至0.004英寸（0.00至0.10毫米）
- E: 15°
- F: 0.009至0.014英寸（0.23至0.35毫米）
- G: 0.248至0.264英寸（6.30至6.70毫米）
- H: 0.114至0.122英寸（2.90至3.10毫米）
- J: 0.264至0.287英寸（6.70至7.30毫米）
- K: 0.024至0.033英寸（0.60至0.85毫米）
- L: 0.091英寸（2.30毫米）
- M: 0.181英寸（4.60毫米）
