物料型号：
- 型号为CZTA96，是一个表面贴装的超高压PNP硅晶体管。
器件简介：
- CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的CZTA96是一款用于极高电压应用的表面贴装环氧模塑PNP硅平面晶体管。
引脚分配：
- 引脚代码：1) 基极 2) 集电极 3) 发射极 4) 集电极。
参数特性：
- 最大额定值（TA=25°C）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：450V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：450V
- 发射极-基极电压（VEBO）：6.0V
- 连续集电极电流（Ic）：500mA
- 功率耗散（PD）：2.0W
- 工作和存储结温（TU Tstg）：-65至+150°C
- 热阻（eJA）：62.5°C/W
功能详解：
- 电气特性（A=25°C unless otherwise noted）：
- 集电极漏电流（ICBO）：在VCB=400V时，最大100nA
- 发射极漏电流（EBO）：在VBE=4.0V时，最大100nA
- 集电极击穿电压（BVCBO）：在Ic=100μA时，450V至500V
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：在Ic=1.0mA时，450V至490V
- 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：在IE=10μA时，6.0V至9.7V
- 饱和压降（VCE(SAT)）：在Ic=1.0mA, Ig=0.1mA时，最大0.20V；在Ic=10mA, Ig=1.0mA时，最大0.30V；在Ic=50mA, Ig=5.0mA时，0.15V至0.50V
- 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：在Ic=10mA, Ig=1.0mA时，最大1.0V
- 电流增益（hFE）：在VCE=10V, Ic=1.0mA时，最小40；在VCE=10V, Ic=10mA时，50至120至200；在VCE=10V, Ic=50mA时，最小25；在VCE=10V, Ic=100mA时，最小35
- 截止频率（fr）：在VCE=10V, Ic=10mA, f=10MHz时，最小20MHz
- 集电极-基极电容（Cob）：在VcB=20V, IE=0, f=1.0MHz时，最大7.0pF
- 基极-发射极电容（Cib）：在VEB=0.5V, Ic=0, f=1.0MHz时，最大130pF
应用信息：
- 该型号适用于极高电压应用。
封装信息：
- 封装类型为SOT-223，具体尺寸和机械轮廓在PDF文档中有详细描述。
