CZTUX87_10

CZTUX87_10

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    CZTUX87_10 - SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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CZTUX87_10 数据手册
CZTUX87 SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTUX87 type is a NPN Silicon Power Transistor epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Peak Collector Current Continuous Base Current Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Thermal Resistance SYMBOL VCEV VCEO VEBO IC ICM IB PD TJ, Tstg ΘJA 900 450 5.0 0.5 1.0 1.0 2.0 -65 to +150 62.5 UNITS V V V A A A W °C °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN ICEV ICEV IEBO BVCEO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(SAT) hFE fT ts tf VCE=900V, VBE=1.5V VCE=900V, VBE=1.5V, TA=125°C VEB=5.0V IC=30mA IC=100mA, IB=10mA IC=200mA, IB=20mA IC=200mA, IB=20mA VCE=5.0V, IC=40mA VCE=10V, IC=50mA, f=1.0MHz VCC=250V, IC=200mA, IB1=40mA, IB2=80mA VCC=250V, IC=200mA, IB1=40mA, IB2=80mA 12 450 TYP MAX 100 1.0 1.0 0.8 1.0 1.0 UNITS µA mA mA V V V V MHz µs µs 20 4.5 0.5 R3 (1-March 2010) CZTUX87 SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR SOT-223 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Base 2) Collector 3) Emitter 4) Collector MARKING: FULL PART NUMBER R3 (1-March 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
CZTUX87_10
1. 物料型号: - 型号:CZTUX87

2. 器件简介: - CZTUX87是一种NPN型硅高压功率晶体管,采用表面贴装封装,设计用于高压开关应用。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter) - 引脚4:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 最大额定值(TA=25°C): - 集电极-发射极电压(VCEV):900V - 集电极-发射极电压(VCEO):450V - 发射极-基极电压(VEBO):5.0V - 连续集电极电流(IC):0.5A - 峰值集电极电流(ICM):1.0A - 连续基极电流(IB):1.0A - 功率耗散(PD):2.0W - 工作和存储结温(TJ, Tstg):-65至+150°C - 热阻(ΘJA):62.5°C/W - 电气特性(TA=25°C,除非另有说明): - 集电极-发射极饱和电压(VCE(SAT)):在IC=100mA, IB=10mA时为0.8V;在IC=200mA, IB=20mA时为1.0V - 基极-发射极饱和电压(VBE(SAT)):在IC=200mA, IB=20mA时为1.0V - 电流增益(hFE):在VCE=5.0V, IC=40mA时为12 - 截止频率(fT):在VCE=10V, IC=50mA, f=1.0MHz时为20MHz - 存储时间(ts):在VCC=250V, IC=200mA, IB1=40mA, IB2=80mA时为4.5µs - 下降时间(tf):在VCC=250V, IC=200mA, IB1=40mA, IB2=80mA时为0.5µs

5. 功能详解: - CZTUX87主要功能为高压开关应用,能够承受高达900V的集电极-发射极电压,适用于需要高电压开关的场合。

6. 应用信息: - 适用于高压开关应用。

7. 封装信息: - 采用SOT-223表面贴装封装,具有较小的占用空间和便于自动化装配的特点。
CZTUX87_10 价格&库存

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