MPQ2907A_12

MPQ2907A_12

  • 厂商:

    CENTRAL(中环)

  • 封装:

  • 描述:

    MPQ2907A_12 - nullPNP SILICON QUAD TRANSISTOR - Central Semiconductor Corp

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MPQ2907A_12 数据手册
MPQ2907A PNP SILICON QUAD TRANSISTOR w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPQ2907A type is comprised of four independent PNP silicon transistors mounted in a 14-pin DIP, designed for small signal, general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-116 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Continuous Collector Current Power Dissipation (per transistor) Power Dissipation (total package) Operating and Storage Junction Temperature ELECTRICAL SYMBOL ICBO IEBO BVCBO BVCEO BVEBO VCE(SAT) VCE(SAT) VBE(SAT) VBE(SAT) hFE hFE hFE fT Cob Cib ton toff SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD PD TJ, Tstg UNITS V V V mA mW W °C 60 60 5.0 600 650 2.0 -65 to +150 CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (TA=25°C) TEST CONDITIONS MIN VCB=30V VEB=3.0V IC=10μA 60 IC=10mA 60 IE=10μA 5.0 IC=150mA, IB=15mA IC=300mA, IB=30mA IC=150mA, IB=15mA IC=300mA, IB=30mA VCE=10V, IC=10mA 75 VCE=10V, IC=150mA 100 VCE=10V, IC=300mA 50 VCE=20V, IC=50mA, f=100MHz 200 VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz VBE=2.0V, IC=0, f=1.0MHz VCC=30V, IC=150mA, IB1=15mA VCC=6.0V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA TYP MAX 50 50 0.4 1.6 1.3 2.6 UNITS nA nA V V V V V V V 6.0 20 30 150 8.0 30 MHz pF pF ns ns R1 (30-January 2012) MPQ2907A PNP SILICON QUAD TRANSISTOR TO-116 CASE - MECHANICAL OUTLINE PIN CONFIGURATION LEAD CODE: 1) Collector Q1 2) Base Q1 3) Emitter Q1 4) No Connection 5) Emitter Q2 6) Base Q2 7) Collector Q2 8) Collector Q3 9) Base Q3 10) Emitter Q3 11) No Connection 12) Emitter Q4 13) Base Q4 14) Collector Q4 MARKING: FULL PART NUMBER R1 (30-January 2012) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
MPQ2907A_12
1. 物料型号: - 型号为MPQ2907A。

2. 器件简介: - MPQ2907A是由CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的PNP硅四晶体管,包含四个独立的PNP硅晶体管,安装在14引脚的双列直插式封装(DIP)中,适用于小信号、通用放大器和开关应用。

3. 引脚分配: - 1) Collector Q1 - 2) Base Q1 - 3) Emitter Q1 - 4) No Connection - 5) Emitter Q2 - 6) Base Q2 - 7) Collector Q2 - 8) Collector Q3 - 9) Base Q3 - 10) Emitter Q3 - 11) No Connection - 12) Emitter Q4 - 13) Base Q4 - 14) Collector Q4

4. 参数特性: - 最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO):60V - 发射极-基极电压(VEBO):600mV - 集电极电流(IC):5.0mA - 每个晶体管的功率耗散(PD):650mW - 总封装功率耗散(PD):2.0W - 工作和存储结温(TJ, Tstg):-65至+150°C - 电气特性(TA=25°C): - 集电极饱和电流(ICBO):50nA - 发射极饱和电流(IEBO):50nA - 饱和压降(VCE(SAT)):0.4V至60V - 基极-发射极电压(VBE(SAT)):1.3V至2.6V - 电流增益(hFE):50至100 - 截止频率(fT):200MHz - 电容(Cob ton Cib):6.0至30pF - 关闭时间(toff):150ns

5. 功能详解: - MPQ2907A适用于小信号放大和开关应用,具有四个独立的PNP晶体管,可以用于各种电子电路设计中,如放大器、开关电路等。

6. 应用信息: - 适用于小信号、通用放大器和开关应用。

7. 封装信息: - 采用TO-116封装,具有14个引脚的双列直插式封装(DIP)。
MPQ2907A_12 价格&库存

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