### 物料型号
- 型号:BAT54WAPT
### 器件简介
- 类型:肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)
- 电压:30伏特(V)
- 电流:0.2安培(A)
- 应用特点:
- 超高速开关
- 小型表面安装型(SC-70/SOT-323)
- 高速(TRR=2.5纳秒典型值)
- 适合高封装密度
### 引脚分配
- 封装:SC-70/SOT-323
### 参数特性
- 最大总功率耗散:200毫瓦(mW)
- 峰值正向电流:300毫安(mA)
### 功能详解
- 硅外延平面:标记为3H
- 电路:2.0~2.45
### 应用信息
- 最大反复峰值反向电压:30伏特(VARM)
- 最大RMS电压:21伏特(VRMS)
- 最大直流阻断电压:30伏特(Voc)
- 最大平均正向整流电流:0.2安培(Io)
- 峰值正向浪涌电流1秒:0.6安培(IFSM)
- 典型结电容:10皮法拉(pF)(注1)
- 最大反向恢复时间:5.0纳秒(TRR)(注2)
- 最大工作温度范围:+150摄氏度(TJ)
- 存储温度范围:-55至+150摄氏度(TSTG)
### 封装信息
- 尺寸:以毫米为单位,具体尺寸图示已提供。