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CHDTA143XKPT

CHDTA143XKPT

  • 厂商:

    CHENMKO(力勤)

  • 封装:

  • 描述:

    CHDTA143XKPT - PNP Digital Silicon Transistor - Chenmko Enterprise Co. Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CHDTA143XKPT 数据手册
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. C HDTA143XKPT CURRENT 100 mAmpere FEATURE * Small surface mounting type. (SC-59/SOT-346) * High current gain. * Suitable for high packing density. * * * * Low colloector-emitter saturation. High saturation current capability. Internal isolated PNP transistors in one package. Built in bias resistor(R1=4.7kΩ, Typ. ) SC-59/SOT-346 (2) (3) 0.95 2.7~3.1 0.95 (1) 1.7~2.1 CONSTRUCTION * One PNP transistors and bias of thin-film resistors in one package. 0.3~0.51 1.2~1.9 MARKING XK1 0.085~0.2 Gnd In 1 0.89~1.3 0.3~0.6 2.1~2.95 0~0.1 CIRCUIT 2 R2 TR R1 3 Out Dimensions in millimeters SC-59/SOT-346 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). SYMBOL VCC VIN IO DC Output current IC(Max.) PTOT TSTG TJ RθJ-S Note 1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board. 2003-12 PARAMETER Supply voltage Input voltage CONDITIONS − MIN. MAX. -50 +7 -100 V V UNIT -20 − − Tamb ≤ 25 OC, Note 1 − −55 − junction - soldering point − mA -100 200 +150 150 140 mW O Total power dissipation Storage temperature Junction temperature Thermal resistance C C C/W O O RATING CHARACTERISTIC ( CHDTA143XKPT ) CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise speciÞed. SYMBOL VIoff) VI(on) VO(on) II IC(off) hFE R1 R2/R1 fT PARAMETER Input off voltage Input on voltage Output voltage Input current Output current DC current gain Input resistor Resistor ratio Transition frequency IC=-5mA, VCE=-10.0V f=100MHz = CONDITIONS IO=-100uA; VCC=-5.0V IO=-20mA; VO=-0.3V IO=-10mA; II=-0.5mA VI=-5V VI=0V; VCC=-50V IO=-10mA; VO=-5.0V − − − − 30 3.29 1.7 − MIN. -0.3 − − -0.1 − − − 4.7 2.1 250 TYP. − -2.5 -0.3 -0.18 -0.5 − 6.11 2.6 − KΩ MHz MAX. V V V mA uA UNIT Note 1.Pulse test: tp≤300uS; δ≤0.02. RATING CHARACTERISTIC CURVES ( CHDTA143XKPT ) Typical Electrical Characteristics Fig.1 Input voltage vs. output current (ON characteristics) −100 VO=−0.3V Fig.2 Output current vs. input voltage (OFF characteristics) −10m −5m −2m −1m −500µ −200µ −100µ −50µ −20µ −10µ −5µ −2µ −1µ 0 VCC=−5V INPUT VOLTAGE : VI(on) (V) −20 −10 −5 −2 −1 −500m −200m −100m −100µ −200µ −500µ −1m −2m −5m −10m −20m −50m −100m Ta=−40°C 25°C 100°C OUTPUT CURRENT : Io (A) −50 Ta=100°C 25°C −40°C −0.5 −1.0 −1.5 −2.0 −2.5 −3.0 OUTPUT CURRENT : IO (A) INPUT VOLTAGE : VI(off) (V) Fig.3 DC current gain vs. output current VO=−5V Fig.4 Output voltage vs. output current OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V) −1 −500m −200m −100m −50m −20m −10m −5m −2m −1m −100µ −200µ −500µ −1m −2m −5m −10m −20m −50m −100m Ta=100°C 25°C −40°C IO/II=20 1k DC CURRENT GAIN : GI 500 200 100 50 20 10 5 2 1 −100µ −200µ −500µ −1m −2m −5m −10m −20m −50m −100m Ta=100°C 25°C −40°C OUTPUT CURRENT : IO (A) OUTPUT CURRENT : IO (A)
CHDTA143XKPT
1. 物料型号:CHDTA143XKPT

2. 器件简介:该器件是一个无铅PNP数字硅晶体管,具有50伏特的电压和100毫安培的电流。它适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。

3. 引脚分配:器件采用小表面贴装型封装(SC-59/SOT-346),内部包含一个PNP晶体管和薄膜电阻器的偏置。

4. 参数特性: - 供电电压(Vcc):-50V - 输入电压(VIN):-20V至+7V - DC输出电流(Io):-100mA - 最大集电极电流(Ic(Max.)):-100mA - 总功率耗散(PTOT):在环境温度不超过25°C时,200mW - 存储温度(TSTG):55°C至+150°C - 结温(TJ):最高150°C - 热阻(ROJ-s):140°C/W

5. 功能详解:CHDTA143XKPT具有高电流增益,适用于高封装密度。它包含一个PNP晶体管和内置偏置电阻(R1=4.7kΩ),具有高饱和电流能力和低集电极-发射极饱和电压。

6. 应用信息:适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。

7. 封装信息:SC-59/SOT-346封装,尺寸以毫米为单位。
CHDTA143XKPT 价格&库存

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