CHDTC124TEPT

厂商：
CHENMKO(力勤)
封装：
描述：
CHDTC124TEPT - NPN Digital Silicon Transistor - Chenmko Enterprise Co. Ltd.

数据手册：

下载CHDTC124TEPT.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

CHDTC124TEPT 数据手册

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. C HDTC124TEPT CURRENT 100 mAmpere FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) * High current gain. * Suitable for high packing density. * * * * Low colloector-emitter saturation. High saturation current capability. Internal isolated NPN transistors in one package. Built in single resistor(R1=22kΩ, Typ. ) 0.1 0.2±0.05 0.5 1.6±0.2 0.5 SC-75/SOT-416 (2) (3) 1.0±0.1 0.1 0.3±0.05 CONSTRUCTION * One NPN transistors and bias of thin-film resistors in one package. 0.1 0.2±0.05 0.8±0.1 (1) MARKING TEC Emitter Base 1 0.15±0.05 0.1Min. 0.6~0.9 0~0.1 1.6±0.2 CIRCUIT 2 TR R1 3 Collector Dimensions in millimeters SC-75/SOT-416 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC(Max.) PD TSTG TJ RθJ-S Note 1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board. 2003-06 PARAMETER Coll ector -Base voltage Collector-Emitter voltage Emitter-Base voltage Coll ector current Power dissipation Storage temperature Junction temperature Thermal resistance , Note 1 CONDITIONS 50 50 5 100 Tamb ≤ 25 OC, Note 1 150 VALUE V V V UNIT mA mW O −55 ∼ +150 −55 ∼ +150 junction - soldering point 140 C O C C/W O RATING CHARACTERISTIC ( CHDTC124TEPT ) CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise speciÞed. SYMBOL BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO VCE(sat) hFE R1 fT PARAMETER Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cutoff current Emitter cutoff current Collector-emitter saturation voltage CONDITIONS IC=50uA IE=50uA VCB=50V VEB=4V IC/IB=10mA/1mA IC=1mA; VCE=5.0V IC=5mA, VCE=10.0V f=100MHz MIN. 50 50 5.0 − − − 100 15.4 − − − − − − − TYP. − − − MAX. V V V UNIT Collector-emitter breakdown voltage IC=1.0mA 0.5 0.5 0.3 600 28.6 − uA uA V KΩ MHz DC current gain Input resistor Transition frequency 250 22 250 Note 1.Pulse test: tp≤300uS; δ≤0.02. RATING CHARACTERISTIC CURVES ( CHDTC124TEPT ) Typical Electrical Characteristics Fig.1 DC current gain vs. collector current 1k 500 DC CURRENT GAIN : hFE Fig.2 Collector-emitter voltage vs. collector current COLLECsaturationTOR VOLTAGE : VCE(sat) (V) 1 500m 200m 100m 50m 20m 10m 5m 2m 1m 100 200 500 1m 2m 5m 10m 20m 50m 100m Ta=100OC 25OC -40 OC lO/lI=10 VCE = 5V 200 100 50 20 10 5 2 1 100 200 500 1m 2m 5m 10m 20m 50m100m Ta=100OC 25OC -40OC COLLECTOR CURRENT : IC (A) COLLECTOR CURRENT : IC (uA)

下载 PDF

CHDTC124TEPT

1. 物料型号： - 型号：CHDTC124TEPT

2. 器件简介： - 这是一个无铅的NPN数字硅晶体管，具有50V的电压和100mA的电流。适用于高封装密度、小尺寸表贴型（SC-75/SOT-416）。

3. 引脚分配： - 根据封装类型SC-75/SOT-416，该晶体管有三个引脚：集电极、发射极和基极。

4. 参数特性： - 击穿电压：Collector-Base (VCBO) 50V，Collector-Emitter (VCEO) 50V，Emitter-Base (VEBO) 5V。 - 集电极电流（Ic(Max.)）：100mA。 - 功率耗散（Po）：在环境温度Tamb ≤ 25°C时为150mW。 - 存储温度（TSTG）：-55~+150°C。 - 结温（TJ）：-55~+150°C。 - 热阻（ROJ-S）：140°C/W（结到焊接点）。

5. 功能详解： - 适用于开关电路、反相器、接口电路、驱动电路。 - 具有低集电极-发射极饱和电压和高饱和电流能力。 - 内部隔离的NPN晶体管在一个封装内。 - 内置单个电阻（R1=22kΩ，典型值）。

6. 应用信息： - 适合高封装密度应用，小尺寸表贴型，高电流增益。

7. 封装信息： - 封装类型为SC-75/SOT-416，尺寸以毫米为单位。

CHDTC124TEPT 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“CHDTC124TEPT”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

CHDTC124TEPT

相关技术文章