CHM4501JPT

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CHENMKO(力勤)
封装：
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CHM4501JPT - Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor - Chenmko Enterprise Co. Ltd.

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel: VOLTAGE 20 Volts P-channel: VOLTAGE 2 0 Volts APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. C HM4501JPT CURRENT 8.3 Ampere CURRENT 5 Ampere FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * Lead free product is acquired. * High power and current handing capability. 1 SO-8 4.06 (0.160) 3.70 (0.146) 8 CONSTRUCTION * N-Channel & P-Channel Enhancement in the package 5.00 (0.197) 4.69 (0.185) 4 5 .51 (0.020) .10 (0.012) 1.27 (0.05)BSC 1.75 (0.069) 1.35 (0.053) .25 (0.010) .05 (0.002) .25 (0.010) .17 (0.007) 6.20 (0.244) 5.80 (0.228) CIRCUIT 8 D1 D1 D2 D2 5 1 4 S1 G1 S2 G2 Dimensions in millimeters SO-8 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter TA = 25°C unless otherwise noted N-Channel P-Channel Units VDSS VGSS Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Maximum Drain Current - Continuous 20 -20 V V ±12 8.3 (Note 3) ±12 -5 ID - Pulsed PD TJ TSTG Maximum Power Dissipation Operating Temperature Range Storage Temperature Range A 30 2000 -55 to 150 -55 to 150 -20 mW °C °C Note : 1. Surface Mounted on FR4 Board , t

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CHM4501JPT

1. 物料型号：CHM4501JPT

2. 器件简介： - CHM4501JPT是一个表面贴装的双增强模式场效应晶体管，包含N沟道和P沟道两个部分。 - N沟道：电压20伏特，电流8.3安培。 - P沟道：电压20伏特，电流5安培。

3. 引脚分配： - 封装类型为SO-8，文档中未详细列出各引脚功能，通常SO-8封装的场效应晶体管引脚顺序为：G D S1 S2 D1。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值：N沟道漏源电压20V，P沟道漏源电压-20V；栅源电压±12V；连续漏极电流N沟道8.3A，P沟道5A；脉冲测试条件下30A和-20A；最大耗散功率2000mW；工作温度范围-55至150摄氏度；存储温度范围-55至150摄氏度。 - 热特性：结到环境的热阻62.5°C/W。

5. 功能详解： - 应用领域：伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器以及其他开关应用。 - 特点：超高密度单元设计以实现极低的RDS(ON)；无铅产品；高功率和电流处理能力；小尺寸扁平封装。

6. 应用信息： - 适用于需要高功率和电流处理能力的开关应用，特别是在伺服电机控制和功率MOSFET驱动领域。

7. 封装信息： - 封装类型为SO-8，是一种小尺寸的扁平封装，适用于表面贴装技术。

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