1. 物料型号：
- 型号：CHM4532JPT
2. 器件简介：
- 这是一个双增强模式场效应晶体管，具有N通道和P通道。
- N通道：电压30伏特，电流4.7安培。
- P通道：电压30伏特，电流4.5安培。
3. 引脚分配：
- 封装类型：SO-8，包含N通道和P通道增强模式。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 漏源电压：N通道30V，P通道-30V。
- 栅源电压：±20V。
- 连续漏极电流：N通道4.7A，P通道-4.5A。
- 脉冲测试（注3）：N通道20A，P通道-20A。
- 最大耗散功率：2000mW。
- 工作温度范围：-55至150摄氏度。
- 存储温度范围：-55至150摄氏度。
- 热特性：
- 热阻，结到环境（注t）：62.5°C/W。
5. 功能详解：
- 应用：伺服电机控制、功率MOSFET门驱动、其他开关应用。
- 特点：超高密度单元设计以实现极低RDS(ON)、无铅产品、高功率和电流处理能力、小扁平封装。
6. 应用信息：
- 适用于伺服电机控制、功率MOSFET门驱动和其他开关应用。
7. 封装信息：
- 封装类型：SO-8。
