CHM4800AJPT

厂商：
CHENMKO(力勤)
封装：
描述：
CHM4800AJPT - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - Chenmko Enterprise Co. Ltd.

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD C HM4800AJPT SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor V OLTAGE 30 Volts APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. CURRENT 9 Ampere FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * High power and current handing capability. * Lead free product is acquired. 1 SO-8 4.06 (0.160) 3.70 (0.146) 8 CONSTRUCTION * N-Channel Enhancement 5.00 (0.197) 4.69 (0.185) 4 5 .51 (0.020) .10 (0.012) 1.27 (0.05)BSC 1.75 (0.069) 1.35 (0.053) .25 (0.010) .05 (0.002) .25 (0.010) .17 (0.007) 6.20 (0.244) 5.80 (0.228) CIRCUIT 8 DD D D 5 1 SS S G 4 Dimensions in millimeters SO-8 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter TA = 25°C unless otherwise noted CHM4800AJPT Units VDSS VGSS Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Maximum Drain Current - Continuous 30 V V ±20 9 ID - Pulsed PD TJ TSTG Maximum Power Dissipation Operating Temperature Range Storage Temperature Range (Note 3) A 40 2500 -55 to 150 -55 to 150 mW °C °C Note : 1. Surface Mounted on FR4 Board , t

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CHM4800AJPT

1. 物料型号：CHM4800AJPT

2. 器件简介： - 该器件为无铅产品。 - 为N-Channel增强型场效应晶体管。 - 电压30V，电流9A。 - 应用包括伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器以及其他开关应用。 - 特点包括超低RDS(ON)的超高密度单元设计、高功率和电流处理能力。

3. 引脚分配： - 封装为SO-8。

4. 参数特性： - 漏源电压（Voss）：30V - 栅源电压（VGss）：±20V - 最大连续漏极电流（l）：9A（脉冲测试条件下为40A） - 最大耗散功率（Po）：2500mW - 工作温度范围（T）：-55至150摄氏度 - 存储温度范围（TSTG）：-55至150摄氏度

5. 功能详解： - 具有小尺寸平面封装（SO-8）。 - 详细的电气特性包括关闭特性（如漏源击穿电压、零栅压漏极电流等）和开启特性（如栅极阈值电压、静态漏源导通电阻等）。 - 还包括开关特性（如总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷、开通时间、上升时间、关断时间和下降时间）。

6. 应用信息： - 适用于伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器以及其他开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为SO-8，具体尺寸以毫米为单位提供。

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