CHM8410JPT

厂商：
CHENMKO(力勤)
封装：
描述：
CHM8410JPT - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - Chenmko Enterprise Co. Ltd.

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD C HM8410JPT SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor V OLTAGE 30 Volts APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. CURRENT 10 Ampere FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) * Super High density cell design for extremely low RDS(ON). * High saturation current capability. 4.06 (0.160) 3.70 (0.146) 8 1 SO-8 CONSTRUCTION * N-Channel Enhancement 5.00 (0.197) 4.69 (0.185) 4 5 .51 (0.020) .10 (0.012) 1.27 (0.05)BSC 1.75 (0.069) 1.35 (0.053) .25 (0.010) .05 (0.002) .25 (0.010) .17 (0.007) 6.20 (0.244) 5.80 (0.228) CIRCUIT 8 DD D D 5 1 SS S G 4 Dimensions in millimeters SO-8 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter TA = 25°C unless otherwise noted CHM8410JPT Units VDSS VGSS Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Maximum Drain Current - Continuous 30 V V ±20 10 ID - Pulsed PD TJ TSTG Maximum Power Dissipation Operating Temperature Range Storage Temperature Range (Note 3) A 30 2500 -55 to 150 -55 to 150 mW °C °C Note : 1. Surface Mounted on FR4 Board , t

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CHM8410JPT

物料型号： - 型号为CHM8410JPT。

器件简介： - CHM8410JPT是一款N沟道增强型场效应晶体管，工作电压为30伏特，电流为10安培。 - 应用领域包括伺服电机控制、功率MOSFET门驱动以及其他开关应用。

引脚分配： - 封装类型为SO-8。

参数特性： - 漏源电压（Voss）：30V - 栅源电压（VGss）：±20V - 最大连续漏极电流（l）：10A - 最大脉冲漏极电流（-Pulsed）：30A - 最大耗散功率（Po）：2500mW - 工作温度范围（T）：-55至150摄氏度 - 存储温度范围（TSTG）：-55至150摄氏度

功能详解： - 具有超高度单元设计，以实现极低的RDS(ON)。 - 具有高饱和电流能力。 - 小型平面封装（SO-8）。

应用信息： - 用于伺服电机控制、功率MOSFET门驱动以及其他开关应用。

封装信息： - 封装类型为SO-8，尺寸以毫米为单位。

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