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1A6

1A6

  • 厂商:

    CHENYI

  • 封装:

  • 描述:

    1A6 - 1 Amp Miniature Plasftic Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts - Shanghai Lunsure Electronic Tech

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1A6 数据手册
Shanghai Lunsure Electronicts Technology Co.,Ltd Tel:0086-21-37185008 Fax:0086-21-57152769 Features l l l High Reliability Low Leakage Low Forward Voltage Drop 1A1 THRU 1A7 1 Amp Miniature Plastic Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts l Exceeds Environmental Standards of MIL-S-19500/228 l Case: Molded plastic black body, R-1 l Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant l Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed l Polarity: Indicated by Cathode Band R-1 o Maximum Ratings l l l Operating Temperature: -55 C to +125 C Storage Temperature: -55 C to +150 C Maximum Thermal Resistance: 60 C/W Junction to Ambient o D o o o Catalog Number 1A1 1A2 1A3 1A4 1A5 1A6 1A7 Device Marking ---------------------- Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage 50V 100V 200V 400V 600V 800V 1000V Maximum Maximum DC Blocking RMS Voltage Voltage A 35V 70V 140V 280V 420V 560V 700V 50V 100V 200V 400V 600V 800V 1000V Cathode Mark B D Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified A verage Forward Current Peak Forward Surge Current Maximum Instantaneous Forward Voltage Maximum DC Reverse Current At Rated DC Blocking Voltage Typical Junction Capacitance IF(AV) IFSM VF 1.0A T J =25o C 30.0A 8.3ms half sine DIMENSIONS C 1 .1V IFM =1.0A T A =25 C o INCHES DIM MIN A 0.116 0.091 0.020 0.787 MAX 0.140 0.102 0.024 ----MIN 2.90 2.30 0.50 20.00 MM NOTE MAX 3.50 2.60 0.60 ----- IR CJ 5.0uA T J =25 C 500uA T J =100o C Measured at 15pF 1.0MHz, V R =4.0V o B C D Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature www.cnelectr .com 1A1 thru 1A7 INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT, 20 10 INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT, 1,000 100 Tj = 150 ¢J AMPERES 4 2 1.0 .4 .2 .1 .04 .02 .01 MICROAMPERSES 10 Tj = 150 ¢J Tj = 100¢J Tj=25¢J Pulse Width = 300 £gs 2% Duty Cy cle 1 0.1 Tj = 25¢J .6 .8 1.0 1 .2 1.4 ¡@ ¡@ ¡@ ¡@ ¡@ ¡@ 1.5 0.01 0 20 60 80 100 120 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE, % Fig. 1-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES Fig. 2-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS PEAK FORWARD SURGE CURRENT, 30 1000 SQUARE pk (HALF-SINE WAVE) 24 600 400 di dt = 200A /£gs AMPERES 18 200 100 60 40 20 10 .01 12 6 1 2 4 6 8 10 20 40 60 80 100 .02 .04 0.1 0.2 0.4 1.0 2 4 10 NUMBER OF CYCLES AT 60Hz PULSE DURATION, MILISECONDS Fig. 3-MAXIMUM OVERLOAD SURGE-CURRENT Fig. 4-PEAK FORWARD SURGE CURRENT AVERAGE FORWARD RECTIFIED 1.6 CURRENT AMPERES 1.4 1.2 1.0 .8 .6 .4 .2 0 0 20 40 60 MAXIMUM AVERAGE CURRENT RATING SINGLE PHASE, WAVE, 60Hz RESISTIVE OR INDUCTIVE LOADD .375"( 9mm) LENGTHS 80 1 20 140 1 60 180 AMBIENT TEMPERATURE, ¢J Fig. 5-FORWARD DERATING CURVE www.cnelectr .com
1A6
1. 物料型号: - 1A1至1A7

2. 器件简介: - 该器件为1安培小型塑封硅整流器,提供50至1000伏特的电压等级。具有高可靠性、低漏电、低正向电压降,并超过MIL-S-19500/228环境标准。

3. 引脚分配: - 极性通过阴极带表示。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(1A1至1A7):50V、100V、200V、400V、600V、800V、1000V。 - 最大RMS电压(1A1至1A7):35V、70V、140V、280V、420V、560V、700V。 - 最大直流阻断电压(1A1至1A7):50V、100V、200V、400V、600V、800V、1000V。 - 平均正向电流(IF(AV)):1.0A,25°C时。 - 正向峰值浪涌电流(IFSM):30.0A,8.3ms半正弦波。 - 最大正向瞬态电压(VF):1.1V,IFM=1.0A,TA=25°C。 - 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流(IR):5.0uA至500uA,TJ=25°C至T=100°C。 - 典型结电容(CJ):15pF,1.0MHz时测量,VR=4.0V。

5. 功能详解: - 该器件为小型整流器,适用于需要整流功能的电路中,如电源整流、信号整流等。

6. 应用信息: - 适用于需要高可靠性和环境耐受性的整流应用。

7. 封装信息: - 封装类型为R-1,塑封黑色塑料体,UL 94V-0级阻燃环氧树脂,MIL-STD-202E方法208C保证的铅。

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