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LLSD101C

LLSD101C

  • 厂商:

    CHENYI

  • 封装:

  • 描述:

    LLSD101C - schottky barrier switching diode - Shanghai Lunsure Electronic Tech

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
LLSD101C 数据手册
Shanghai Lunsure Electronic Technology Co.,Ltd Tel:0086-21-37185008 Fax:0086-21-57152769 LLSD101A THRU LLSD101C Schottky Barrier Switching Diode Features l l l l Low Reverse Recovery Time Low Reverse Capacitance Low Forward Voltage Drop Guard Ring Construction for Transient Protection Mechanical Data l Case: MiniMELF, Glass l Terminals: Solderable per MIL -STD -202, Method 208 l Polarity: Indicated by Cathode Band l Weight: 0.05 grams ( approx.) Cathode Mark MINIMELF Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified Characteristic Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage Forward Continuous Current(Note 1) Non-Repetitive Peak @ t
LLSD101C
1. 物料型号: - LS1D101A - LS1D101B - LS1D101C

2. 器件简介: - 这些型号均为肖特基势垒整流二极管(Schottky Barrier Switching Diode),具有低反向恢复时间、低反向电容和低正向电压降的特点,并且具有瞬态保护的防护环结构。

3. 引脚分配: - 根据机械数据部分,这些器件采用MiniMELF玻璃封装,引脚可焊性符合MIL-STD-202标准方法208,极性由阴极环表示。

4. 参数特性: - 最大额定值:包括峰值重复反向电压(VRRM)、工作峰值反向电压(VRWM)、直流阻断电压(VR)、有效值反向电压(VR(RMS))、正向连续电流(IFM)、正向浪涌电流(IFSM)和功率耗散(Pd)。 - 电气特性:包括反向峰值特性(IRM)、正向电压降(VFM)和结电容(C)。

5. 功能详解: - 这些二极管主要用于整流应用,具有低正向电压降和低反向恢复时间,适合高频开关应用。

6. 应用信息: - 适用于需要快速开关和低功耗的整流应用,如电源、变频器和电机控制。

7. 封装信息: - 封装类型为MiniMELF,玻璃封装,具体尺寸和公差在文档中有详细说明。
LLSD101C 价格&库存

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