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LLSD103A

LLSD103A

  • 厂商:

    CHENYI

  • 封装:

  • 描述:

    LLSD103A - Schottky barrier switching diode - Shanghai Lunsure Electronic Tech

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
LLSD103A 数据手册
Shanghai Lunsure Electronic Technology Co.,Ltd Technology Co.,Ltd Fax:0086-21-57152769 LLSD103A THRU LLSD103C Schottky Barrier Switching Diode Features l l l Low Reverse Recovery Time Low Reverse Capacitance Low Forward Voltage Drop l Guard Ring Construction for Transient Protection Mechanical Data l Case: MiniMELF, Glass l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 l Polarity: Indicated by Cathode Band l Weight: 0.05 grams ( approx.) MINIMELF Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified Characteristic Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage Forward Continuous Current(Note1) Maximum Single cycle surge 60Hz sine wave Power Dissipation(Note 1) Thermal Resistance(Note 1) Operation/Storage Temp. Range Symbol LLSD103A LLSD103B LLSD103C VRRM VRWM VR VR(RMS) IFM IFSM Pd R Tj, TSTG 28V 21V 350mA 15A DIMENSION 400mW 250K/W -55 to 150 C o Cathode Mark C 40V 30V 20V B 14V A DIM A B C INCHES MIN .134 .008 .055 MAX .142 .016 .059 MIN 3.40 0.20 1.40 MM MAX 3.60 0.40 1.50 NOTE Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified Charateristic Peak Reverse Current LLSD103A LLSD103B LLSD103C VF M --------0.37V 0 .60V Symbol Min Typ Max Test Cond. V R =30V SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT 0.105 IRM ----- ----- 5.0uA V R =20V V R =10V IF =20mA IF =200mA V R =0V, f=1.0MHz IF =IR =50mA to 200mA, recover to 0.1 I R 0.030” 0.075” M aximum Forward Voltage Drop Junction Capacitance Reverse Recovery Time Cj trr --------- 50 10 pF ns Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature www.cnelectr.com LLSD103A thru LLSD103C 1000 5 tp = 300µs duty cycle = 2% IF, FORWARD CURRENT (mA) IF, FORWARD CURRENT (A) 0 0.5 VF, FORWARD VOLTAGE (V) Fig. 1 Typical Forward Characteristics 1.0 100 4 10 3 1.0 2 0.10 1 0.01 0 0 0.5 1.0 1.5 VF, FORWARD VOLTAGE (V) Fig. 2 Typical High Current Fwd Characteristics 50 40 VR, REVERSE VOLTAGE (V) 100mA 30 IF = 400mA 200mA 20 10 0 0 100 TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C) Fig. 3 Blocking Voltage Derating Curves 200 www.cnelectr.com
LLSD103A
1. 物料型号: - 型号为LLSD103A、LLSD103B和LLSD103C。

2. 器件简介: - 该器件为肖特基势垒整流二极管,具有低反向恢复时间、低反向电容和低正向电压降等特点,并且具有防护环结构以提供瞬态保护。

3. 引脚分配: - 采用MiniMELF封装,玻璃材质,引脚可焊性符合MIL-STD-202标准方法208,极性通过阴极环标识。

4. 参数特性: - 最大重复反向电压(VRRM)分别为40V、30V和20V; - 正向连续电流(IFM)为350mA; - 最大单周期60Hz正弦波冲击电流(IFSM)为15A; - 功率耗散(Pd)为400mW; - 热阻(R)为250K/W; - 工作/存储温度范围(Tj, TSTG)为-55至150°C。

5. 功能详解: - 器件在25°C下的性能参数,包括最大正向电压降(VFM)、结电容(Cj)和反向恢复时间(trr)等。

6. 应用信息: - 适用于需要快速开关和低功耗的应用场合。

7. 封装信息: - 封装为MiniMELF,具体尺寸参数如下: - A尺寸:最小3.40英寸,最大3.60英寸; - B尺寸:最小0.20英寸,最大0.40英寸; - C尺寸:最小1.40英寸,最大1.50英寸。
LLSD103A 价格&库存

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