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SD103B

SD103B

  • 厂商:

    CHENYI

  • 封装:

  • 描述:

    SD103B - Small signal schottky diodes - Shanghai Lunsure Electronic Tech

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SD103B 数据手册
Shanghai Lunsure Electronic Technology Co.,Ltd Tel:0086-21-37185008 Fax:0086-21-57152769 SD103A THRU SD103C Small Signal Schottky Diodes Features l l l Low Reverse Recovery Time Low Reverse Capacitance Low Forward Voltage Drop l Guard Ring Construction for Transient Protection Mechanical Data l Case: DO-35, Glass l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 l Polarity: Indicated by Cathode Band DO-35 Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified D Characteristic Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage Maximum sigle cycle surge 60Hz sine wave Power Dissipation(Note 1) Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction Tmperature Operation/Storage Temp. Range Symbol VRRM VRWM VR VR(RMS) IFSM Pd R Tj TSTG SD103A SD103B SD103C 40V 30V 20V A Cathode Mark 28V 21V 15A 400mW 300K/W 125 C -55 to +150 C o o 14V B D C Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified C harateristic SD103A Leakage Current SD103B SD103C VF M ----IR ----Symbol T ype Max 5.0uA 5.0uA 5.0uA 0.37V 0 .60V Test Condition VR =30V VR =20V VR =10V IF =20mA IF =200mA VR =0V, f=1.0MHz IF =IR =50mA, recover to 200mA/0.1IR DIM A B C D INCHES MIN ------1.000 DIMENSIONS MM MIN ------25.40 MAX .166 .079 .020 --- MAX 4.2 2.00 .52 --- NOTE Maximum Forward Voltage Drop Junction Capacitance Reverse Recovery Time Cj t rr 50pF 10ns --------- Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature www.cnelectr.com SD103A thru SD103C Figure 1. Typical variation of forward current vs. Forward. Voltage for primary conduction through the schottky barrier IF(mA)   Figure 2. Typical high current forward conduction curve tp=300ms,duty cycle=2% A  Tj= 25 C      IF  IF              VF Figure 3. Typical non repetitive forward surge current versus pulse width VF A   mA          IF  IF                  ms         tp VR www.cnelectr.com SD103A thru SD103C Figure 5. Blocking deration versus temperature at various average forward currents V      VR       TA Figure 6. Typical capacitance versus reverse voltage pF      Ctot             www.cnelectr.com
SD103B
1. 物料型号: - SD103A - SD103B - SD103C

2. 器件简介: - 这些是小信号肖特基二极管,封装为DO-35,玻璃封装,具有低反向恢复时间、低反向电容、低正向电压降、防护环结构等特点。

3. 引脚分配: - 根据MIL-STD-202标准,这些二极管的引脚是可焊的,极性由负极端的色环指示。

4. 参数特性: - 最大额定值:包括峰值重复反向电压(VRRM)、工作峰值反向电压(VRWM)、直流阻断电压(VR)、有效值反向电压(VR(RMS))、60Hz正弦波最大单周期冲击电流(IFSM)、功率耗散(Pd)、结到环境的热阻(R)、结温(T)以及工作/存储温度范围(TSTG)。 - 电气特性:包括漏电流(在不同电压下的)、最大正向电压降(VFM)、结电容(Cj)和反向恢复时间(trr)。

5. 功能详解: - 这些二极管主要用于整流和保护电路,具有低正向电压降和快速反向恢复时间,适用于高频电路。

6. 应用信息: - 适用于高频、高效率的整流和保护应用,如电源管理、电机控制和信号处理。

7. 封装信息: - 封装类型为DO-35,具体尺寸包括A(最小值)、B(最大值)、C(最小值)和D(最大值)的英寸和毫米尺寸。
SD103B 价格&库存

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