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CSD-425E

CSD-425E

  • 厂商:

    CHINASEMI

  • 封装:

  • 描述:

    CSD-425E - 0.4 Inch Dual Digits Display - China Semiconductor Corporation

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSD-425E 数据手册
CHINA SEMICONDUCTOR CORPORATION Spec. No. Rev. PS-ND-08070514 A PRODUCT SPECIFICATION Model No CSD-424E/425E Descriptions: 0.4 Inch Dual Digits Display CSD-424: Common Anode CSD-425: Common Cathode Emitting Color Orange CUSTOMER APPROVED SIGNATURES APPROVED BY CHECKED BY PREPARED BY CHINA SEMICONDUCTOR CORPORATION Address:2FL. NO.909,Chung-Cheng Road, Chung-Ho City Taipei Hsien,Taiwan. Tel:886-2-2223-9696 Fax:886-2-2223-9377 OPTO PLUS TECHNOLOGIES CO.,LTD Address:696 Shun jiang Rd.,Ji Shan St.Shaoxing, ZheJiang,China Tel:86-0575-8623888 Fax:86-0575-8623112 http://www.csctw.com.tw CHINA SEMICONDUCTOR CORPORATION Model No CSD-424/425E Spec. No. Rev. PS-ND-08070514 A Features 1. 0.4 inch (10.1mm) dight height. 2. Case mold type. 3. RoHs compliant. 4. Low power consumption. 5. Easy mounting on P.C. board or socket. Device Selection Guide Chip Material GaAsP GaAsP Emitted Color Orange Orange Part No. CSD-424E CSD-425E Description Common Anode Common Cathode Package Dimensions - http://www.csctw.com.tw Page 1/4 CHINA SEMICONDUCTOR CORPORATION Model No CSD-424/425E Spec. No. Rev. PS-ND-08070514 A Internal Circuit Diagrams - Absolute Maximum Rating (Ta=25 ) Parameter Power Dissipation Per Dice Continuous Forward Current Per Dice Peak Current Per Dice(Duty cycle 1/10, 1KHz) Derating Linear From 25 Reverse Voltage Per Dice Operating Temp. Storage Temp. Per Dice Symbol Pd IAF IPF VR Topr Tstg Rating 70 25 90 0.33 5 -35 ~ +85 -35 ~ +85 Unit mW mA mA mA/ V Solder temperature 1/16 inch below seating plane for 3 seconds at 260 http://www.csctw.com.tw Page 2/4 CHINA SEMICONDUCTOR CORPORATION Model No CSD-424/425E Spec. No. Rev. PS-ND-08070514 A Electro-optical Characteristics (Ta=25 ) Parameter Forward Voltage Per Segment Luminous Intensity Per Segment Symbol VF Iv Min. - Typ. 2.1 3 632 624 35 - Max. 2.8 100 2:1 Unit V mcd nm nm nm A . Condition IF=20mA IF=10mA IF=20mA IF=20mA IF=20mA VR=5V IF=10mA Peak Emission Wavelength Dominant Wavelength Spectrum Radiation Bandwidth Reverse Current Luminous Intensity Matching Ratio Od JS q IV-m http://www.csctw.com.tw Page 3/4 CHINA SEMICONDUCTOR CORPORATION Model No CSD-424/425E Spec. No. Rev. PS-ND-08070514 A Typical Electrical / Optical Charateristics Curves (Ta = 25 Unless Otherwise Noted) http://www.csctw.com.tw Page 4/4
CSD-425E
1. 物料型号: - 型号:CSD-424E/425E - CSD-424E:共阳极,CSD-425E:共阴极,均发射橙色光。

2. 器件简介: - 0.4英寸双位数码管,CSD-424为共阳极,CSD-425为共阴极,均发射橙色光,符合RoHS标准。

3. 引脚分配: - 所有引脚均为0.5mm(0.02英寸)。 - 尺寸以毫米(英寸)为单位,公差为0.25mm(0.01英寸)。

4. 参数特性: - 功耗:每颗芯片最大功耗70mW。 - 连续正向电流:每颗芯片25mA。 - 峰值电流:每颗芯片90mA(占空比1/10,1KHz)。 - 从25°C起每颗芯片的降额线性0.33mA/°C。 - 反向电压:每颗芯片5V。 - 工作温度范围:-35°C至+85°C。 - 存储温度范围:-35°C至+85°C。 - 焊接温度:在座位平面下1/16英寸处保持3秒260°C。

5. 功能详解应用信息: - 正向电压:每段2.1至2.8V(在IF=20mA条件下)。 - 每段发光强度:3mcd(在IF=10mA条件下)。 - 发射峰值波长:632nm(在IF=20mA条件下)。 - 主要波长:624nm(在IF=20mA条件下)。 - 光谱辐射带宽:35nm(在IF=20mA条件下)。 - 反向电流:100uA(在VR=5V条件下)。 - 发光强度匹配比:2:1(在IF=10mA条件下)。

6. 封装信息: - 封装尺寸为5.95mm x 1.05mm x 1.04mm x 7.00mm。
CSD-425E 价格&库存

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