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1N5401

1N5401

  • 厂商:

    CHONGQING

  • 封装:

  • 描述:

    1N5401 - TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER - CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
1N5401 数据手册
CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 1N5400 THRU 1N5408 TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50-1000V CURRENT:3.0A FEATURES ·High reliability ·Low leakage ·Low forward voltage drop ·High current capability DO-27 1.0(25.4) MIN. .375(9.5) .335(8.5) .052(1.3) .048(1.2) DIA. MECHANICAL DATA ·Case: Molded plastic ·Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant ·Lead: MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed ·Polarity:Color band denotes cathode end ·Mounting position: Any ·Weight: 1.18 grams .220(5.6) .187(5.0) 1.0(25.4) MIN. DIA. Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. SYMBOL 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407 1N5408 units Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward rectified Current .375”(9.5mm) lead length at TL=75°C Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rate load (JEDEC method) Maximum Instantaneous forward Voltage at 3.0A DC Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage @ TA=25°C VRRM VRMS VDC Io IFSM VF 50 35 50 100 70 100 200 140 200 400 280 400 3.0 150 1.1 5.0 500 30 40 30 pF °C/W 600 420 600 800 560 800 1000 700 1000 V V V A A V @ TA=100°C IR Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle .375”(9.5mm) lead length at TL=75°C CJ Typical Junction Capacitance (Note) RθJA Typical Thermal Resistance Notes: Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts µA 1 PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建 www.fineprint.cn
1N5401
1. 物料型号: - 型号包括1N5400至1N5408,这些是硅整流二极管。

2. 器件简介: - 这些器件是高可靠性、低漏电、低正向电压降、高电流能力的硅整流二极管。

3. 引脚分配: - 根据机械数据部分,这些器件使用MIL-STD-202E, Method 208保证的引线,并且有一个色带表示阴极端。引脚可以任意位置安装。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM)从50V到1000V不等。 - 最大RMS电压(VRMS)从35V到700V不等。 - 最大直流阻断电压(VDc)从50V到1000V不等。 - 最大平均正向整流电流(I)为3.0A。 - 峰值正向浪涌电流(IFSM)为150A。 - 最大瞬时正向电压在3.0A直流下(VF)为1.1V。 - 最大直流反向电流在额定直流阻断电压下(IR)为5.0A。

5. 功能详解: - 这些二极管适用于单相、半波、60Hz的电阻性或感性负载。对于电容性负载,电流需降低20%。

6. 应用信息: - 这些硅整流二极管适用于需要高电流能力和低正向电压降的应用场合。

7. 封装信息: - 封装为DO-27,尺寸以英寸和毫米给出,具体尺寸图可参考提供的链接。
1N5401 价格&库存

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