1. 物料型号:
- CPC5603C:N-Channel Depletion Mode FET,SOT-223封装(80/管)。
- CPC5603CTR:N-Channel Depletion Mode FET,SOT-223封装胶带和卷(1000/卷)。
2. 器件简介:
CPC5603是一款“N”通道耗尽模式场效应晶体管(FET),采用Claré专有的第三代垂直DMOS工艺。这种工艺在经济的硅门工艺中实现了世界级的高电压MOSFET性能。垂直DMOS工艺产生一个高度可靠的设备,特别是在电信等困难的应用环境中。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:GATE(栅极)
- 2号引脚:DRAIN(漏极)
- 3号引脚:SOURCE(源极)
- 4号引脚:DRAIN(漏极)
4. 参数特性:
- 漏极至源极电压(Vds):415V
- 最大导通电阻(Rds(on)):14欧姆
- 最大功率:2.5瓦特
5. 功能详解:
CPC5603具有415V的漏极至源极电压、8欧姆(典型值)的低导通电阻、高输入阻抗、低输入和输出漏电流以及小尺寸的SOT-223封装。CPC5603的一个主要应用是作为LITELINK™数据访问设备(DAA)CPC5620A、CPC5621A和CPC5622A的线性调节器/挂钩开关。
6. 应用信息:
- 支持LITELINK™数据访问安排(DAA)电信组件。
7. 封装信息:
CPC5603采用SOT-223封装,这是一种小尺寸的表面贴装封装,适用于PCB空间和成本节省。