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BAS19W

BAS19W

  • 厂商:

    COMCHIP(典琦)

  • 封装:

  • 描述:

    BAS19W - Surface Mount Switching Diode - Comchip Technology

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BAS19W 数据手册
Surface Mount Switching Diode S urface B AS16W, BAS19W, BAS20W, BAS21W Voltage: 75 - 200 Volts Power: 200 mWatts COMCHIP www.comchiptech.com Features Fast SwitchingSpeed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion Electrically Identical to Standard JEDEC High Conductance SOT-323 .087 (2.2) .070 (1.8) .016 (.40) Top View .054 (1.35) .045 (1.15) Mechanical data C ase: SOT -23, Plastic Terminals : Solderable per NIL-STD -202, method 208 Approx. Weight: 0.008 gram SINGLE 3 1 2 .004 (0.1) max. .006 (0.15) .002 (0.05) .056(1.4) .047(1.2) .016 (.40) .016 (.40) max. .087 (2.2) .078(2. 0) Dimensions in inches (millimeters) BAS16W, BAS19W, BAS20W, BAS21W Maximum Ratings and Electrical Characterics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specif ied. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Parameter Symbol BAS16W BAS19W VR Reverse Voltage 75 100 Peak Reverse Voltage Rectified Current (Average), Half W ave Rectification with Resistive Load and f >=50 Hz Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sinewave superimposed on rated load (JEDEC method) Power Dissipation Derate Above 25°C Maximum Forward Voltage @ I F=10mA @ I F=100mA Maximum DC Reverse Current at Rated DC Block ing Voltage TJ= 25°C Typical Junction Capacitance (Notes1) Maximum Reverse Recovery (Notes2) Maximum Thermal Res istance Storage Temperature Range NOTE: 1. CJ at VR=0, f=1MHZ 2. From I F=10mA to IR=1mA, V R=6Volts, RL=100? VRM IO IFSM PTOT VF IR CJ TRR R JA BAS20W 150 200 200 2.5 200 1.0 0.1 1.5 50.0 BAS21W 200 250 200 2.5 200 1.0 0.1 1.5 50.0 .044 (1.10) .035 (0.90) UNITS V V mA A mW V uA pF nS °C/W °C 100 250 2.0 200 0.855 1.0 2.0 6.0 120 200 2.5 200 1.0 0.1 1.5 50.0 357 TJ -55 to +125 MDS0304001A Page 1 Surface Mount Switching Diode Rating and Characteristic Curves www.comchiptech.com COMCHIP 100 10 TA=150OC REVERSE CURRENT, mA FORWARD CURRENT, mA 1.0 TA=125OC 10 0.1 TA=85 C O 1.0 TA=55OC 0.01 TA=25 C 0.1 0.2 0.001 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 10 20 30 40 50 O FORWARD VOLTAGE, Volts REVERSE VOLTAGE, Volts FORWARD VOLTAGE FORWARD VOLTAGE LEAKAGE CURRENT LEAKAGE CURRENT 6.0 DIODE CAPACITANCE, pF 4.5 3.5 60 W VRF=2V 2nF 5k W Vo 1.5 0 0 2 4 6 8 RECTIFICATION EFFCIENCY MEASUREMENT CIRCUIT REVERSE VOLTAGE, Volts TYPICAL CAPATICANCE TYPICAL CAPATICANCE MDS0304001A Page 2
BAS19W
1. 物料型号: - BAS16W、BAS19W、BAS20W、BAS21W

2. 器件简介: - 表面贴装开关二极管,具有快速开关速度,表面贴装封装,适合自动插入,电气特性与标准JEDEC相同,高导通性。

3. 引脚分配: - 封装类型:SOT-23,塑料封装。 - 引脚:可焊性符合NIL-STD-202方法208。 - 重量:大约0.008克。

4. 参数特性: - 反向电压:75V至200V。 - 峰值反向电压:100V至250V。 - 整流电流(平均值),半波整流,电阻性负载,频率大于等于50Hz:250mA至200mA。 - 峰值正向浪涌电流,8.3ms单半正弦波叠加在额定负载上(JEDEC方法):2.0A至2.5A。 - 功率耗散在25°C以上时的降额:200mW。 - 最大正向电压@IF=10mA@Ip=100mA:0.855V至1.0V。 - 最大直流反向电流在额定直流阻断电压T=25°C:1.0μA。 - 典型结电容(注1):2.0pF至1.5pF。 - 最大反向恢复时间(注2):6.0ns至50.0ns。 - 最大热阻:357°C/W。 - 存储温度范围:-55至+125°C。

5. 功能详解: - 该器件为表面贴装开关二极管,具有快速开关速度和高导通性,适用于自动插入和电气特性与标准JEDEC相同。

6. 应用信息: - 适用于需要快速开关和高导通性的场合,如电源整流、开关电源等。

7. 封装信息: - 封装类型为SOT-23,塑料封装,引脚可焊性符合标准,重量轻。
BAS19W 价格&库存

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