物料型号:
- 型号为CDBS0130。
器件简介:
- 该器件是SMD Schottky Barrier Diode,设计用于小型表面的安装,具有极薄的封装、低存储电荷、多数载流子导电性。
引脚分配:
- 引脚为0805(2012)标准封装,端子为镀锡可焊,符合MIL-STD-750标准方法2026。
参数特性:
- 重复峰值反向电压VRRM为35V,反向电压VR为30V,平均正向电流IF为100mA,正向电流,浪涌峰值IFSM为1000mA,耗散功率PD为250mW,存储温度TSTG为-40至+125℃,结温Tj为-40至+125℃。
功能详解:
- 正向电压VF在100mA正向直流电流下为0.44V,反向电流IR在30V反向电压下为30uA,端子间电容CT在1MHz频率和10V直流反向电压下为10pF。
应用信息:
- 该器件适合于表面贴装应用,具有较小的封装尺寸和低电荷存储特性,适用于需要快速开关和低正向压降的应用。
封装信息:
- 封装类型为0805(2012)标准封装,极性通过阴极带标识。