CDBV0530

厂商：
COMCHIP(典琦)
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CDBV0530 - SMD Schottky Barrier Diodes - Comchip Technology

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SMD Schottky Barrier Diodes COMCHIP www.comchip.com.tw C DBV0520 - CDBV0540 V oltage: 20- 40 Volts Current: 0.5 Amp F eatures E xtremely Low Drop Down Voltage Extremely Thin Package . 012 (0.3) SOD-323 . 112 (2.85) .100 (2.55) . 059(1.5) . 049(1.25) Low Stored Charge Majority Carrier Conduction .065 (1.50) Mechanical data . MAX. C ase: SOD-323, molded plastic Terminals: solderable per MIL-STD-750, method 2026 Polarity: Indicated by cathode band Mounting position: Any .004 (0.1) MAX. . 006(0.15) MAX. .010 (0.25)MIN. Dimensions in inches and (millimeters) Weight:0.0045 grams M aximum Ratings and Electrical Characterics P arameter Max.RepetitivePeak Reverse Voltage Max. DC Blocking Voltage Max. RMS Voltage Peak Surge Forward Current 8.3ms single half sine-wave Sine-wave superimposed on Rate load ( JEDEC ) Max. AverageForward Current Max. Forward Current at 0.1 A 0.5 A Max. Reverse Current Symbol V RRM V DC V RMS I FSM C DBV 0520 20 14 20 C DBV 0530 30 21 30 C DBV 0540 40 28 40 . 043(1.1) .076 (1.95) . U nit V V V A 2.0 Io VF IR 0 .31 0.43 0.10 @ VR =10V 0.25 @ VR =20V 0.5 A 0 .36 0.47 0.03 @ VR =10V 0.13 @ VR =30V V mA 0 .36 0.47 0.03 @ VR =10V 0.13 @ VR =30V 4 26 Max. Thermal Resistance R JA C /W Operating junction temperature Storage temperature Tj T STG -40 to +125 C -40 to +125 C Note 1: Thermal resistance from junction to ambient MDS0302002B Page 1 SMD Schottky Barrier Diodes COMCHIP www.comchip.com.tw RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (CDBV0520-0540) Fig. 1 - Reverse Characteristics (CDBV0520) 1.0 Tj=25 C 100 Fig. 1 - Reverse Characteristics (CDBV0530-0540) R everse Current ( mA ) R everse Current ( uA ) 0.1 10 T j=25 C 0.01 0 5 10 15 20 1.0 0 5 10 15 20 25 30 R everse Voltage (V) R everse Voltage (V) Fig. 3 - Forward Characteristics (CDBV0520) 10 T j=25 C 1 0000 Fig. 4 - Forward Characteristics ( CDBV0530-0540) T j=25 C F orward Current ( mA ) 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 F orward Current ( A ) 1000 1.0 100 10 0.1 1.0 0 .01 0 0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 F orward Voltage (V) F orward Voltage (V) Fig. 5 - Capacitance Between Terminals characteristics 1000 F ig. 6 - Current Derating Curve C apacitance Between Terminals (pF) Mounting on glass epoxy PCBs Average Forward Current ( A ) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.5 100 0.4 0.3 10 0.2 0.1 1.0 0 25 50 75 100 125 150 Reverse Voltage (V) Ambient Temperature ( C) MDS0302002B Page 2

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CDBV0530

物料型号： - CDBV0520 - CDBV0530 - CDBV0540

器件简介：这些是SMD Schottky Barrier Diodes，具有极低的正向电压降和快速开关特性，适用于高频、低功耗的整流应用。

引脚分配： - 极性通过阴极带指示，安装位置任意。

参数特性： - 最大重复峰值反向电压（VRRM）：CDBV0520为20V，CDBV0530为30V，CDBV0540为40V。 - 最大直流阻断电压（VDC）：CDBV0520为14V，CDBV0530为21V，CDBV0540为28V。 - 最大有效值电压（VRMS）：CDBV0520为20V，CDBV0530为30V，CDBV0540为40V。 - 峰值浪涌正向电流（IFSM）：CDBV0530和CDBV0540为2.0A。 - 最大平均正向电流（Io）：0.5A。 - 最大正向电流在0.1A和0.5A时的正向电压（VF）：CDBV0520为0.31V和0.43V，CDBV0530和CDBV0540为0.36V和0.47V。 - 最大反向电流（IR）：CDBV0520为0.10mA@10V和0.25mA@20V，CDBV0530和CDBV0540为0.03mA@10V和0.13mA@30V。 - 最大热阻（RoJA）：426°C/W。 - 工作结温（Tj）：-40至+125°C。 - 存储温度（TSTG）：-40至+125°C。

功能详解：这些二极管具有极低的正向电压降，超薄封装，低存储电荷和多数载流子导电特性，适用于需要快速开关和低功耗的应用。

应用信息：适用于高频、低功耗的整流应用。

封装信息： - 封装类型：SOD-323，模塑塑料。

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