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CEFB205-G

CEFB205-G

  • 厂商:

    COMCHIP(典琦)

  • 封装:

    SMB

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CEFB205-G 数据手册
SMD Efficient Fast Recovery Rectifier CEFB201-G Thru CEFB205-G (RoHS Device) Reverse Voltage: 50 ~ 600 Volts Forward Current: 2.0 Amp Features: Ideal for surface mount applications Easy pick and place Plastic package has Underwriters Lab. flammability classification 94V-0. Super fast recovery time for high efficient Built-in strain relief Low forward voltage drop 0.185(4.70) 0.160(4.06) 0.012(0.31) 0.006(0.15) 0.096(2.44) 0.083(2.13) 0.083(2.11) 0.075(1.91) 0.155(3.94) 0.130(3.30) SMB / DO-214AA Mechanical Data: Case: JEDEC DO-214AA molded plastic Terminals: solderable per MIL-STD-750, method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Approx. Weight: 0.063 gram 0.050(1.27) 0.030(0.76) 0.220(5.59) 0.200(5.08) 0.008(0.20) 0.203(0.10) Dimensions in inches and (millimeter) Maximum Ratings and Electrical Characterics: Parameter Max. Repetitive Peak Reverse Voltage Max. DC Blocking Voltage Max. RMS Voltage Peak Surge Forward Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rate load (JEDEC method) Max. Average Forward Current Max. Instantaneous Forward Voltage at 2.0A Reverse recovery time Max. DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Ta=25oC Ta=100oC Max. Thermal Resistance (Note1) Max. Operating Junction Temperature Storage Temperature Symbol CEFB201-G 50 50 35 CEFB202-G 100 100 70 CEFB203-G CEFB204-G CEFB205-G 200 200 140 400 400 280 600 600 420 Unit V V V VRRM VDC VRMS IFSM Io VF Trr IR R JL 30 45 A 2.0 0.875 25 1.1 35 1.25 50 A V nS uA o C/W o o 5.0 200 15 150 -55 to +150 Tj TSTG C C N ote1: Thermal resistance from junction to lead mounted on PCB with 8.0mmx8.0mm 2 c opper pad areas. “-G” suffix designates RoHS compliant Version Page1 SMD Efficient Fast Recovery Rectifier Rating and Characteristic Curves (CEFB201-G Thru CEFB205-G) Reverse Current (uA) Forward Current (A) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%) Forward Voltage (V) Fig.4 - Non Repetitive Forward Surge Curre Junction Capacitance (pF) Peak Surge Forward Current (A) Number of Cycles at 60Hz Fig.5 - Test Circuit Diagram and Reverse Recovery Time Characteristics trr NONINDUCTIVE NONINDUCTIVE Fig. 6 - Current Derating Curve 25Vdc (approx.) PULSE GENERATOR (NOTE2) Average Forward Currnet (A) OSCILLISCOPE Single Phase Half Wave 60Hz 1cm NOTES: 1. Rise Times = 7ns max., Input Impedance = 1 megohm.22pF. 2. Rise Time = 10ns max., Source Impedance = 50 ohms. SET TIME BASE FOR 50 / 10ns / cm “-G” suffix designates RoHS compliant Version P age2
CEFB205-G
1. 物料型号: - 型号为CEFB201-G至CEFB205-G,这些是表面贴装高效快速恢复整流器。

2. 器件简介: - 这些器件是高效快速恢复整流器,适用于表面贴装应用,易于拾取和放置,塑料封装具有UL94V-0的阻燃等级分类,超快恢复时间为高效率,内置应力消除,低正向电压降。

3. 引脚分配: - 极性:色带表示阴极端。 - 根据MIL-STD-750方法2026,端子可焊。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):50至600伏不等。 - 最大直流阻断电压(VDc):50至600伏不等。 - 最大RMS电压(VRMS):35至420伏不等。 - 峰值浪涌正向电流(IFSM):部分型号为30至45安不等。 - 最大平均正向电流(Io):部分型号为2.0安。 - 最大瞬时正向电压在2.0A时(VF):0.875至1.25伏不等。 - 反向恢复时间(Trr):25至50纳秒不等。 - 最大直流反向电流在额定直流(IR):部分型号为5.0微安至200微安不等。 - 最大热阻(ROJL):部分型号为15°C/W。 - 最大工作结温(T):部分型号为150°C。 - 存储温度(TSTG):部分型号为-55至+150°C。

5. 功能详解应用信息: - 这些器件适用于需要高效率和快速恢复时间的应用场合,如电源整流、电机驱动等。

6. 封装信息: - 封装类型为SMD JEDEC DO-214AA塑料封装。
CEFB205-G 价格&库存

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